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FDG6332C_F085-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FDG6332C_F085-VB** 是一款采用 SC70-6 封装的双通道 MOSFET,包含一个 N 型通道和一个 P 型通道,专为低电压和高效开关应用设计。该器件具有±20V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),使用了先进的沟槽(Trench)技术。这种双通道设计使其在电源管理和开关控制应用中非常灵活,可以在同一封装中实现正负电源开关。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-6 Dual-N+P ±20V 1.0/-1.2V 3.28/-2.8A 110/190mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-6 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-6 Dual-N+P ±20V 1.0/-1.2V 3.28/-2.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-6 Dual-N+P ±20V 1.0/-1.2V 3.28/-2.8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-6 Dual-N+P
详细参数说明

- **封装类型(Package):** SC70-6
- **配置(Configuration):** 双通道 N+P 型 MOSFET
- **漏源电压(VDS):** ±20V
- **栅源电压(VGS):** ±20V
- **开启电压阈值(Vth):**
- N 型通道:1.0V
- P 型通道:-1.2V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- N 型通道:
- 110mΩ @ VGS = 2.5V
- 90mΩ @ VGS = 4.5V
- P 型通道:
- 190mΩ @ VGS = 2.5V
- 155mΩ @ VGS = 4.5V
- **连续漏极电流(ID):**
- N 型通道:3.28A
- P 型通道:-2.8A
- **技术(Technology):** 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

**FDG6332C_F085-VB** 的双通道设计和小封装尺寸使其在多种应用中非常有用,以下是几个典型的应用领域和模块:

1. **电源管理(Power Management):** 在电源管理模块中,FDG6332C_F085-VB 可用于正负电源的开关控制。其双通道设计允许在同一封装中实现正负电源开关,适用于各种低电压电源管理应用,如便携式设备和小型电源适配器。

2. **负载开关(Load Switch):** 适用于需要开关控制的负载,如电池管理系统中的负载开关。其低导通电阻和高电流能力确保高效的负载开关,减少功耗,提高系统的整体效率。

3. **消费类电子产品(Consumer Electronics):** 在消费电子产品如智能手机、平板电脑等中,FDG6332C_F085-VB 可用于电源开关和保护电路。其小巧的 SC70-6 封装适合于空间受限的设计,同时提供稳定的开关性能。

4. **小型电动机驱动(Small Motor Drive):** 在小型电动机驱动应用中,如微型电动工具和家用电器,FDG6332C_F085-VB 可以用作电动机控制的开关。其高电流能力和双通道特性使其能够高效地控制电动机的正负电流。

**FDG6332C_F085-VB** 的双通道设计和高效能使其在多种需要双向开关控制和小型化设计的应用中表现出色,是各种低电压电源管理和控制系统的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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