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FDG6318PZ-VB 产品详细

产品简介:

一、FDG6318PZ-VB 产品简介

FDG6318PZ-VB 是一款双 P 沟道 MOSFET,封装为 SC70-6。这款 MOSFET 采用 Trench 技术设计,适合于高效能和紧凑型应用。FDG6318PZ-VB 能够处理最大漏源极电压为 -20V,并且具有较低的导通电阻(235mΩ @ VGS = 2.5V 和 155mΩ @ VGS = 4.5V)。其高达 -1.8A 的漏极电流处理能力使其适用于各种负载和开关应用。该 MOSFET 的低阈值电压(-0.6V)使其能够在低电压下启动,提供高效的开关性能,广泛应用于小型电子设备和电源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A 235mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-6 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-6 Dual-P+P
二、FDG6318PZ-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SC70-6
- **配置**: 双 P 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: -20V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 235mΩ @ VGS = 2.5V
- 155mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**: -1.8A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

三、FDG6318PZ-VB 应用领域和模块

FDG6318PZ-VB 的双 P 沟道配置和低导通电阻使其在多个应用领域中表现出色:

1. **电源管理**: 在低电压电源管理电路中,如负载开关和电源切换器,FDG6318PZ-VB 能够有效地处理负电压,并提供低导通电阻,减少功耗。其双 MOSFET 配置允许在一个封装中实现更复杂的电源控制,适用于便携式设备和高效能电源模块。

2. **小型电子设备**: 在小型电子设备中,如智能手表、耳机和便携式充电器,FDG6318PZ-VB 的 SC70-6 封装和低导通电阻使其非常适合紧凑的设计。其高效能和小型化特点确保了设备的高性能和长电池寿命。

3. **DC-DC 转换器**: 在 DC-DC 转换器中,FDG6318PZ-VB 可以作为开关元件,帮助在低电压和高效率要求的应用中进行有效转换。其低导通电阻和高开关性能有助于提高转换器的整体效率和可靠性。

4. **电动控制和驱动**: 在电动控制和驱动应用中,如电机驱动器和开关调节器,FDG6318PZ-VB 提供了稳定的负电流处理能力和高效能开关性能。其双 P 沟道配置允许在同一封装中实现更高效的电流控制和开关操作。

FDG6318PZ-VB 是一款高效能的双 P 沟道 MOSFET,广泛应用于需要低导通电阻和高效能的小型化电路和系统中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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