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FDG6308P-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:FDG6308P-VB

FDG6308P-VB是一款高性能双P沟道MOSFET,封装为SC70-6。这款MOSFET采用先进的Trench技术,专为负电压应用设计,适合高密度电路板上的使用。FDG6308P-VB具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,尤其在低栅极驱动电压下表现优异,适用于需要高效率和高可靠性的电源管理和开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A 235mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-6 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-6 Dual-P+P -20V -0.6V -1.8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-6 Dual-P+P
详细参数说明:

- **型号**: FDG6308P-VB
- **封装**: SC70-6
- **配置**: 双P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: -20V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 235mΩ @ VGS=2.5V
- 155mΩ @ VGS=4.5V
- **连续漏极电流 (ID)**: -1.8A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块举例:

1. **移动设备**:
FDG6308P-VB在移动设备中,尤其是在智能手机和便携式电子产品的电源管理模块中表现出色。由于其小巧的SC70-6封装和高效率开关特性,它适合在空间有限的应用中使用,提高了设备的整体能效和稳定性。

2. **消费电子**:
在消费电子产品如数字相机、便携式音响和小型家用电器中,FDG6308P-VB能够用于低电压开关和电源管理。其低导通电阻和高电流处理能力确保了设备在高负载下的稳定运行,并有效提升了能效。

3. **汽车电子**:
在汽车电子系统中,FDG6308P-VB适用于电动座椅、车窗控制和灯光开关等负电压应用。其可靠的开关性能和负电压操作能力,能有效提高汽车电气系统的性能和稳定性,满足车载电子设备的高要求。

4. **工业应用**:
在工业控制系统中,FDG6308P-VB可以用于低电压的电源开关和负载管理。其小型封装和优越的开关性能使其在空间有限的工业环境中表现出色,优化系统的功率管理,提高控制精度和系统效率。

FDG6308P-VB凭借其先进的Trench技术和广泛的应用适用性,为各种高效能和负电压操作的应用提供了可靠的解决方案,是提升系统性能和稳定性的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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