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FD214-VB 产品详细

产品简介:

FD214-VB 产品简介

FD214-VB是一款高耐压N沟道MOSFET,封装形式为DIP8。该MOSFET专为中等电压应用设计,能够承受最高200V的漏源电压(VDS)。它采用了Trench技术,这种技术可以提供相对较高的开关效率和较低的功率损耗。FD214-VB具有2V的栅极阈值电压(Vth),并且在较低的栅源电压下仍能保持稳定的导通性能。其导通电阻在VGS=10V时为1000mΩ,在VGS=4.5V时为1200mΩ,这使其适用于需要中等电流处理的电子电路,最大漏极电流(ID)为0.6A。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Single-N 200V 2V 0.6A 1000mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DIP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DIP8 Single-N 200V 2V 0.6A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DIP8 Single-N 200V 2V 0.6A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DIP8 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**: DIP8
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1200mΩ @ VGS=4.5V, 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.6A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

FD214-VB MOSFET由于其适中的电压和电流规格,适用于多种中等功率的应用。以下是该MOSFET在不同领域和模块中的应用示例:

1. **低功率开关电源 (SMPS)**: 在低功率开关电源设计中,FD214-VB能够处理200V的电压,适合用于电源转换和调节电路。其相对较高的导通电阻(1000mΩ)使其适用于不需要极低功率损耗的应用,特别是在预算有限或空间有限的设计中。

2. **小型电机控制**: 对于小型电机驱动应用,FD214-VB能够提供可靠的中等电流处理能力。其最大漏极电流为0.6A,适合用于小功率电机的控制和驱动,尤其是在家电和小型工业设备中。

3. **开关控制电路**: 在各种开关控制电路中,如继电器驱动和开关调节,FD214-VB能够有效地提供稳定的开关性能。其高耐压和相对较低的导通电阻使其适合用于处理中等电压和电流的开关任务。

4. **电源管理系统**: 在电源管理系统中,例如充电器和电池管理系统,FD214-VB能够在适中的电压和电流条件下有效工作,确保电源的稳定性和可靠性。

这些应用场景展示了FD214-VB在中等电压和电流处理中的适用性,使其成为多种中低功率电子系统中的有效组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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