FCP13N60N-VB - VBsemi MOS管制造商

FCP13N60N-VB 产品详细

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产品简介：

FCP13N60N-VB MOSFET 产品简介

FCP13N60N-VB是一款高电压、高耐压的单N沟道MOSFET，采用TO220封装。这款MOSFET具有650V的漏源电压（VDS），适用于需要高电压和可靠性的应用场景。其最大栅源电压为±30V，具有3.5V的阈值电压（Vth）。在栅源电压为10V时，其导通电阻（RDS(ON)）为220mΩ，最大漏极电流（ID）为15A。FCP13N60N-VB使用了SJ_Multi-EPI技术，这种技术可以显著提高器件的开关效率和热稳定性，广泛应用于功率转换和电源管理领域。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	15A			220mΩ	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	15A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	15A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道（Single-N-Channel）
- **漏源电压（VDS）**: 650V
- **栅源电压（VGS）**: ±30V
- **阈值电压（Vth）**: 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 220mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**: 15A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用：

应用领域与模块

1. **电源转换器**: FCP13N60N-VB适用于高压电源转换器，尤其是在需要稳定和高效开关性能的场合。其高达650V的漏源电压使其能够满足高电压环境下的要求。

2. **工业电源管理**: 在工业电源管理系统中，FCP13N60N-VB的高耐压和稳定性能对于提高电源的整体可靠性和效率至关重要。它能够处理较高电压，保证电源管理的稳定性和安全性。

3. **高压照明控制**: 该MOSFET也可用于高压照明系统中，例如高压氙灯或LED驱动器。其高耐压特性能够确保在严苛的工作条件下维持良好的性能。

4. **电动汽车充电器**: 在电动汽车充电器中，FCP13N60N-VB的高电压和可靠性使其适用于处理高电压和大电流的充电过程，帮助提升充电效率和系统稳定性。

通过在这些应用领域中使用FCP13N60N-VB，可以实现高效、可靠的电源管理和开关控制，满足高电压、高功率需求的应用场景。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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