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FCP11N60F-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:FCP11N60F-VB

FCP11N60F-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,专为高电压应用设计。其最大漏源电压(VDS)为 650V,适合需要高电压保护的电源系统。该 MOSFET 的栅源电压(VGS)为 ±30V,开启阈值电压(Vth)为 3.5V。在 VGS 为 10V 时,其导通电阻(RDS(ON))为 220mΩ,使其适用于中等电流应用。FCP11N60F-VB 采用 SJ_Multi-EPI 技术,这种技术可以优化功率损耗和热管理,适用于各种高压开关和电源管理场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A 220mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **极性**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **开启阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:220mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:15A
- **技术类型**:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用领域与模块

FCP11N60F-VB MOSFET 由于其高压和中等电流特性,广泛应用于以下领域和模块:

1. **开关电源(SMPS)**:在开关电源设计中,FCP11N60F-VB 能够处理高达 650V 的电压,为高压电源提供可靠的开关解决方案,尽管其导通电阻相对较高,但在中等电流应用中依然能够有效地运行。

2. **电机驱动**:在工业电机驱动系统中,这款 MOSFET 能够处理高电压应用,确保电机的安全启动和运行。它的较高导通电阻在低功耗应用中可能不会显著影响系统效率。

3. **电池管理系统(BMS)**:用于电池管理系统时,FCP11N60F-VB 提供稳定的高压开关能力,支持电池保护和管理,尤其适用于电池组中的高电压保护需求。

4. **家电和工业控制**:在需要高电压控制的家电和工业控制系统中,这款 MOSFET 能够有效地进行高电压开关,保障系统的安全性和可靠性。

这些应用展示了 FCP11N60F-VB 在处理高电压场景中的重要作用,尽管其导通电阻相对较高,但在适当的应用中仍能提供可靠的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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