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FBE30-VB 产品详细

产品简介:

产品简介 - FBE30-VB MOSFET

FBE30-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET,封装为 TO220。其最大漏源电压可达 850V,适合需要高电压隔离的应用。采用 Plannar 技术制造,具备较高的耐压和稳定的性能。虽然其导通电阻相对较高,但其设计使其在高电压条件下依然能够保持稳定的工作状态。FBE30-VB 特别适用于高电压开关和保护电路的应用,提供高耐压、高可靠性的电流控制解决方案。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装形式**: TO220
- **沟道类型**: 单一 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 850V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2700mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 4A
- **技术类型**: Plannar(平面型)

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **高电压开关电路**:
FBE30-VB 适用于高电压开关电路中,如高压开关电源和工业高电压开关。其能够承受高达 850V 的漏源电压,使其在高电压应用中保持稳定,能够有效控制高电压状态下的电流。

2. **电源保护电路**:
在电源保护电路中,FBE30-VB 可用于高电压保护和隔离。它的高漏源电压和可靠的开关性能使其成为电源保护电路中的关键组件,能有效保护电路免受过高电压的损害。

3. **高电压驱动模块**:
在高电压驱动模块中,如高压电机驱动和电源转换器,FBE30-VB 提供了稳定的高电压处理能力。虽然导通电阻较高,但其在高电压应用中能够提供可靠的性能,确保系统的高效运行。

4. **高电压调节器和逆变器**:
FBE30-VB 适合用于高电压调节器和逆变器,特别是在需要高电压隔离和稳定性的应用场景中。其高耐压能力和相对稳定的开关特性使其能够在高电压环境下有效工作,保证系统的稳定性和效率。

总体而言,FBE30-VB 是一款专为高电压应用设计的 MOSFET,适用于各种需要高电压处理和保护的领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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