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FB3507-VB 产品详细

产品简介:

FB3507-VB MOSFET 产品简介

FB3507-VB是一款高电流、高效率的N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为高功率应用设计。该MOSFET具有80V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),适用于需要高电流处理能力的电路。其栅极阈值电压(Vth)为3V,保证了在较低的栅电压下能有效开关。FB3507-VB利用Trench技术制造,提供了非常低的导通电阻(RDS(ON)),分别为9mΩ(在VGS=4.5V时)和7mΩ(在VGS=10V时),并且能够处理高达100A的漏极电流(ID)。这些特性使FB3507-VB非常适合于要求高电流和高效率的应用,提供优异的开关性能和低功耗运行。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
FB3507-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型(Package):** TO220
- **配置(Configuration):** 单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS):** 80V
- **栅源电压(VGS):** ±20V
- **栅极阈值电压(Vth):** 3V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 100A
- **技术类型(Technology):** Trench

领域和模块应用:

FB3507-VB MOSFET 适用领域与应用模块

FB3507-VB MOSFET因其超低的导通电阻和高电流处理能力,广泛适用于以下领域和模块:

1. **高效电源转换器:** 在高效电源转换器(如DC-DC转换器)中,FB3507-VB能够处理高电流负载,同时保持低功耗损失。其低导通电阻有助于提升转换效率,减少能量损耗,从而提高整体系统性能。

2. **电机驱动系统:** 在电机驱动应用中,FB3507-VB适用于高功率电机的开关控制。其高电流处理能力能够稳定地驱动电机,并且其低导通电阻能够降低功率损失,提高电机驱动系统的效率。

3. **功率放大器:** 在功率放大器电路中,FB3507-VB能够处理大功率信号,提供稳定的开关性能。其优秀的开关特性和低导通电阻确保了功率放大器的高效能和可靠性。

4. **高功率开关电源:** FB3507-VB适用于高功率开关电源设计,例如高功率变换器和电源模块。其高电流能力和低导通电阻使其成为高功率电源应用的理想选择。

5. **电力保护电路:** 在电力保护电路中,FB3507-VB能够提供高效的开关和保护功能。其高电流处理能力和低导通电阻有助于保障电路的稳定性和安全性。

总之,FB3507-VB MOSFET以其卓越的电流处理能力和低导通电阻,适合用于高电流和高功率的应用场景,能够提供优异的性能和高效的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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