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FB20N50K-VB 产品详细

产品简介:

产品简介 - FB20N50K-VB MOSFET

FB20N50K-VB 是一款高电压、高电流 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,设计用于处理高电压和高电流的应用。它的最大漏源电压为 650V,能够在高电压环境下稳定工作,并且支持高达 20A 的连续漏极电流。该 MOSFET 使用 SJ_Multi-EPI 技术,这种技术提供了较低的导通电阻和良好的开关性能,使其在高电压和高电流的电源管理和开关应用中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装形式**: TO220
- **沟道类型**: 单一 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 160mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI(多层 EPI 技术)

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **高电压电源开关**:
FB20N50K-VB 的高漏源电压(650V)使其特别适合于高电压电源开关应用。在 AC-DC 转换器、开关电源和高电压直流-直流转换器中,它可以可靠地处理高电压电源,确保电源系统的稳定性和安全性。

2. **功率放大器**:
在功率放大器和高功率电子设备中,FB20N50K-VB 的高电压承受能力和较低的导通电阻使其能够高效地处理大功率信号。它适用于需要高电压和高电流的功率放大器,确保信号的稳定放大和传输。

3. **工业设备**:
在工业控制系统和电动驱动设备中,FB20N50K-VB 的高电流处理能力和高电压耐受特性使其成为理想选择。它可以用于控制工业电机和驱动系统,确保设备在高电压条件下的可靠运行。

4. **电源管理**:
FB20N50K-VB 适用于各种电源管理应用,如电池管理系统和电源稳压模块。其高电压和高电流处理能力能够有效地管理电力流动,优化电源效率并提高系统的可靠性。

FB20N50K-VB 是一款设计用于高电压和高电流应用的 N 沟道 MOSFET,凭借其高电压承受能力、较低的导通电阻和良好的开关性能,在高电压电源开关、功率放大器、工业设备以及电源管理等领域提供了优质的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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