推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

F9Z24-VB 产品详细

产品简介:

F9Z24-VB MOSFET 产品简介

F9Z24-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET,采用TO220封装。这款MOSFET设计用于处理高达-60V的漏源电压(VDS),并支持±20V的栅源电压(VGS)。其阈值电压(Vth)为-1.7V,确保在较低的栅电压下也能有效导通。F9Z24-VB具有较低的导通电阻(RDS(ON)),在4.5V栅极驱动下为74mΩ,在10V栅极驱动下为62mΩ,这有助于降低功耗和提高开关效率。其最大连续漏极电流能力为-40A,适合高电流应用。F9Z24-VB采用Trench技术,具有较低的导通电阻和优秀的开关性能。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A 62mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-P
F9Z24-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单P沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 74mΩ @ VGS=4.5V
- 62mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**: -40A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块

F9Z24-VB MOSFET的高电流和高电压处理能力使其特别适用于以下领域和模块:

1. **电源管理系统**:F9Z24-VB适用于各种电源管理系统中的负载开关。其高电流能力和低导通电阻使其能够高效地控制电源,适合用于电源开关、DC-DC转换器和电源适配器中,减少功耗和提高系统效率。

2. **功率转换器**:在功率转换器应用中,如逆变器和变换器,F9Z24-VB能够处理高电流和高电压,保证转换器的稳定性和效率。其低导通电阻有助于降低功率损耗,并提高转换器的整体性能。

3. **电机驱动**:该MOSFET的-40A漏极电流能力使其适用于高电流电机驱动系统,如工业电机驱动和高功率伺服电机控制。其高电流处理能力和低导通电阻确保了电机驱动系统的稳定性和可靠性。

4. **功率开关**:F9Z24-VB可以用作高电流和高电压负载开关,例如用于高功率负载控制和高电压负载管理。其高电流能力和低导通电阻使其在开关应用中表现出色,适合用于大功率负载的开关控制。

5. **功率放大器**:在功率放大器应用中,F9Z24-VB能够提供稳定的开关性能,适合于高功率放大器,如音频放大器和射频功率放大器。其高电流能力和低导通电阻确保了放大器的高效能和稳定性。

F9Z24-VB MOSFET凭借其高电流和高电压处理能力,在电源管理、功率转换、电机驱动和功率开关等领域提供可靠的性能,满足各种高电流应用的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询