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F7831-VB 产品详细

产品简介:

F7831-VB MOSFET 产品简介

F7831-VB是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装形式为SOP8,采用先进的沟槽(Trench)技术。该器件以其极低的导通电阻(RDS(ON))在高电流应用中表现出色,RDS(ON)在VGS为4.5V时为5mΩ,VGS为10V时为4mΩ。这使得F7831-VB能够在高电流环境下提供出色的效率和功率密度。其耐压能力为30V,最大漏极电流为18A,非常适合需要高开关速度和高效能的应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
F7831-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**: F7831-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 18A
- **技术**: 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

F7831-VB MOSFET 应用领域和模块

F7831-VB MOSFET以其低导通电阻和高漏极电流能力,非常适合以下领域和模块:

1. **高效电源转换**: 在DC-DC转换器和开关模式电源(SMPS)中,F7831-VB的低RDS(ON)特性可以显著减少功率损耗,提升转换效率,适合用于计算机电源、服务器电源和汽车电源系统。

2. **电机驱动**: 该MOSFET在电机驱动系统中能够处理高电流负载,如在工业自动化设备、电动工具和电动车辆中,提供稳定和高效的电机控制。

3. **负载开关**: F7831-VB非常适合用于高电流负载开关应用,如在电源管理系统中作为负载开关,确保高效能和低功耗。

4. **消费电子设备**: 在消费电子产品,如笔记本电脑、智能手机和便携式电子设备中,F7831-VB可用于电池管理和功率分配模块,提供稳定的性能和延长电池寿命。

F7831-VB以其卓越的性能和广泛的适用性,为各种现代电子设备提供了高效、可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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