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F7805Q-VB 产品详细

产品简介:

F7805Q-VB MOSFET 产品简介

F7805Q-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,封装形式为 SOP8。这款 MOSFET 具有最大漏源电压 30V,适用于低电压高电流应用。其栅源阈值电压为 1.7V,支持低栅极电压下的有效开关。F7805Q-VB 的导通电阻分别为 11mΩ(VGS = 4.5V)和 8mΩ(VGS = 10V),提供了非常低的功耗和高效的开关性能。该 MOSFET 采用 Trench 技术,旨在提供卓越的开关速度和高效能,适合多种高效电源和开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
F7805Q-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单一 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅源阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ (VGS = 4.5V)
- 8mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理系统**: F7805Q-VB 在电源管理系统中表现优异。其低导通电阻和高电流处理能力使其适合用于高效能的电源开关和控制,能够显著减少功率损耗,提高整体电源效率。

2. **DC-DC 转换器**: 在 DC-DC 转换器应用中,F7805Q-VB 的低导通电阻有助于提升转换器的效率。其高电流能力和快速开关性能能够优化转换器的性能,适合用于高效电源设计。

3. **电机驱动**: 这款 MOSFET 非常适合用于电机驱动系统。其低导通电阻和高电流能力能够确保电机启动和运行时的稳定性和高效性,提高电机驱动系统的可靠性。

4. **功率开关**: 在各种功率开关应用中,F7805Q-VB 提供了低功耗和高效的开关性能。它能够在同一封装中处理高电流负载,非常适合用于高效能的功率开关模块。

5. **电池管理系统**: F7805Q-VB 也适用于电池管理系统,特别是在需要高电流和低功耗的应用中。其优异的开关性能能够有效地保护电池免受过流和短路的影响,确保电池的安全性和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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