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F7474-VB 产品详细

产品简介:

F7474-VB MOSFET 产品简介

F7474-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,封装形式为 SOP8,适用于要求高电压和低导通损耗的应用。它的最大漏源电压为 100V,具有 1.8V 的栅源阈值电压,能够在较低的栅极驱动电压下可靠开启。该 MOSFET 的导通电阻分别为 33mΩ(VGS = 4.5V)和 32mΩ(VGS = 10V),确保了高效的功率传输和较低的功率损耗。采用 Trench 技术,这款器件具有更高的开关速度和更低的导通电阻,非常适合用于多种高效电源和开关应用中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 9A 32mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 9A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
F7474-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单一 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 100V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅源阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ (VGS = 4.5V)
- 32mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏极电流 (ID)**: 9A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **LED 驱动电路**: F7474-VB 在 LED 驱动电路中表现出色,特别适合用于要求高电压和高效率的驱动器中。其低导通电阻和高电流能力能够提高驱动器的能效,延长 LED 的使用寿命。

2. **电源转换器**: 这款 MOSFET 非常适合应用在高压 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器中。它的高电压和低导通电阻特性能够显著降低转换器的功率损耗,从而提高系统的整体效率。

3. **通信设备**: F7474-VB 可用于通信设备中的电源管理模块。其高电压承受能力和低功耗特性使其在稳定供电、降低热量产生方面表现优异,从而确保通信设备的稳定运行。

4. **工业自动化**: 在工业自动化设备中,F7474-VB 适用于各种电机控制和电源管理应用。其高耐压特性和低导通电阻确保了设备的高效运行和可靠的性能。

5. **电动工具**: 对于电动工具中的电源和电机驱动模块,F7474-VB 提供了高效、低损耗的开关解决方案。其高电流处理能力能够支持高功率输出,确保工具的稳定性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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