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F7329-VB 产品详细

产品简介:

F7329-VB MOSFET 产品简介

F7329-VB 是一款高性能的双P沟道MOSFET,封装为SOP8。该MOSFET设计用于处理负电压,具有-20V的漏源电压承受能力和高达-8.9A的漏极电流。它采用了Trench技术,提供低导通电阻,适合于需要高效开关控制的负电压应用。F7329-VB 适合用在电源管理、开关电路和电池管理等多种场景中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-P+P
详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 双P沟道(Dual-P-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 16mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -8.9A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域及模块

F7329-VB MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛应用:

1. **电源管理**: 在负电压电源管理中,F7329-VB 可用于开关和电流控制,帮助提高电源系统的效率和稳定性。其低导通电阻有助于减少功率损耗,实现更高效的电源管理。

2. **电池管理系统**: F7329-VB 在电池管理系统中用于处理负电压应用,优化电池的充电和放电过程。它能够有效管理负电流,提升系统的安全性和性能。

3. **负电压开关电路**: 在需要控制负电压的开关电路中,如负电压DC-DC转换器,F7329-VB 提供高效的开关控制,确保负电压系统的稳定和高效。

4. **功率放大器**: 在功率放大器设计中,F7329-VB 可用于负电压部分的开关和保护,确保功率放大器的稳定性和可靠性,特别是在处理负电压信号时表现优异。

5. **电子负载**: 在电子负载测试中,F7329-VB 可用于负电压源的模拟和测试,提供高效的负电流控制,帮助进行准确的负载测试和分析。

F7329-VB 的双P沟道设计和低导通电阻特性使其在需要高效负电压控制的应用中表现出色,是各种电源管理和控制系统中的理想组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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