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F632-VB 产品详细

产品简介:

F632-VB MOSFET 产品简介

F632-VB 是一款高电压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,特别适用于高电压和高电流的应用场景。该 MOSFET 支持最高 200V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),具有 3V 的栅极阈值电压 (Vth)。F632-VB 在 VGS=10V 时的导通电阻 (RDS(ON)) 为 270mΩ,而在 VGS=4.5V 时为 310mΩ,能够承载最大 10A 的连续漏极电流 (ID)。其采用的沟槽技术 (Trench Technology) 提供了较低的导通电阻和良好的热管理性能,确保了在高电压应用中的稳定性和效率。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A 270mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
F632-VB 详细参数说明

- **封装类型 (Package):** TO220
- **配置 (Configuration):** 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS):** 200V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth):** 3V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- 310mΩ @ VGS=4.5V
- 270mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID):** 10A
- **技术类型 (Technology):** 沟槽技术 (Trench Technology)

领域和模块应用:

应用领域与模块举例

F632-VB MOSFET 由于其高电压承受能力和可靠的导通性能,适用于多个高要求的应用场景。以下是一些典型的应用示例:

1. **高电压电源管理**:在高电压电源管理系统中,如 AC-DC 转换器和高电压 DC-DC 转换器,F632-VB 可作为关键的开关元件。其 200V 的高漏源电压能力能够有效支持高电压环境下的电源转换和调节。

2. **电源保护电路**:用于高电压电源保护电路中,如过电压保护和浪涌抑制电路,F632-VB 提供了可靠的高电压开关功能。其较低的导通电阻有助于减少功耗,提升保护电路的效率。

3. **工业驱动系统**:在工业自动化和电机驱动系统中,F632-VB 可以作为高电压开关元件,控制电机和其他高功率负载。其高电流承载能力和稳定的性能确保了工业设备的可靠运行。

4. **照明系统**:在需要高电压控制的照明系统中,如大功率LED驱动和高强度放电灯具控制,F632-VB 提供了高效的开关能力。其优异的导通性能能够有效控制照明负载,延长设备的使用寿命。

F632-VB 的高电压处理能力和良好的导通性能使其在这些高要求应用中提供了可靠和高效的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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