F620N-VB - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

F620N-VB TO220 MOSFET 产品简介

F620N-VB 是一款高电压单N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，设计用于中高电压和中等功率的应用。它具备200V的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)，适合在较高电压条件下稳定运行。该MOSFET 使用Trench工艺技术，提供3V的阈值电压 (Vth)，并在VGS=10V时的导通电阻 (RDS(ON)) 为270mΩ，在VGS=4.5V时为310mΩ，最大漏极电流 (ID) 为10A。F620N-VB 的设计旨在提供高效的开关性能和稳定的电流控制，适合在需要高电压和可靠开关的应用中使用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	200V		3V	10A			270mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	200V		3V	10A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	200V		3V	10A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

F620N-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型 (Package)：** TO-220
- **配置 (Configuration)：** 单N沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)：** 200V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **阈值电压 (Vth)：** 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))：**
- 310mΩ@VGS=4.5V
- 270mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)：** 10A
- **技术 (Technology)：** Trench

领域和模块应用：

F620N-VB MOSFET 应用领域与模块举例

F620N-VB MOSFET 的高电压和适中电流能力使其适用于多种应用场景。它在**电源管理系统**中可以作为高电压开关元件，适合在中高功率的DC-DC转换器中使用，提供稳定的电流控制和低功耗性能。在**电动机驱动系统**中，该MOSFET 能够有效控制电动机的启动和运行，尤其在需要高电压支持的电机应用中表现优异。它也适合用于**高电压逆变器**，如工业设备中的逆变器和某些类型的太阳能逆变器，确保高电压环境下的可靠运行。此外，F620N-VB 也可用于**电池管理系统**，在高电压充放电过程中提供可靠的开关功能，保障电池的稳定性和安全性。总之，这款MOSFET 在需要高电压和稳定电流控制的应用中表现出色。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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