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F530A-VB 产品详细

产品简介:

F530A-VB MOSFET 产品简介

F530A-VB 是一款采用 TO220 封装的单 N 沟道 MOSFET,专为高电压应用设计。它具有高达 100V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 承受能力。该 MOSFET 的栅极阈值电压 (Vth) 为 1.8V,导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 时为 127mΩ,支持高达 18A 的连续漏极电流 (ID)。F530A-VB 使用了先进的沟槽技术 (Trench Technology),在高电压和高电流的工作条件下表现出色,适用于各种高性能电子应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A 127mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
F530A-VB 详细参数说明

- **封装类型 (Package):** TO220
- **配置 (Configuration):** 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS):** 100V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth):** 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 127mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID):** 18A
- **技术类型 (Technology):** 沟槽技术 (Trench Technology)

领域和模块应用:

应用领域与模块举例

F530A-VB MOSFET 由于其高电压承载能力和良好的电流处理性能,在多个领域和模块中具有广泛的应用。以下是几个典型的应用示例:

1. **电源开关和转换器**:在开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中,F530A-VB 可以作为开关元件使用。其高电压耐受能力和适中的导通电阻使其能够处理高电压输入,同时提供稳定的电流输出,提升电源系统的效率和稳定性。

2. **功率放大器**:在高功率 RF 放大器中,F530A-VB 能够承受高电压和电流,适用于信号放大和功率调节。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高放大器的性能。

3. **汽车电气系统**:在汽车电子系统中,如灯光控制和电动窗户驱动等应用中,F530A-VB 的高电压能力能够保证可靠的电流开关和系统稳定性,适合用于汽车的高电压负载。

4. **工业自动化和控制**:在工业自动化设备中,F530A-VB 可以用于高电压负载的控制,如电动机驱动和电源开关等。其高电流处理能力和稳定的性能满足了工业应用中对可靠性的要求。

F530A-VB 的高电压处理能力和沟槽技术使其在这些应用中表现出色,为需要高电压和高电流处理的系统提供了可靠和高效的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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