推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

F513-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**F513-VB** 是一款单 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封装。它设计用于处理中等电压和电流的应用,具有良好的开关性能和导通特性。F513-VB 的漏极到源极电压(VDS)为 60V,适合中等电压环境的应用。栅极到源极电压(VGS)的范围为 ±20V,支持广泛的控制信号。该 MOSFET 的阈值电压(Vth)为 1.7V,能够在较低的栅极电压下导通。其导通电阻(RDS(ON))为 72mΩ(VGS=10V),确保较低的功率损耗和较好的效率。采用 Trench 技术,F513-VB 提供了高效的性能和可靠性,适合各种中等功率的应用。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 20A 72mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 20A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 20A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: F513-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N-Channel MOSFET
- **VDS**: 60V(漏极到源极电压)
- **VGS**: ±20V(栅极到源极电压)
- **Vth**: 1.7V(阈值电压)
- **RDS(ON)**: 72mΩ(VGS=10V 时的导通电阻)
- **ID**: 20A(最大漏极电流)
- **技术**: Trench(沟槽技术)

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **功率开关**
- F513-VB 的中等漏极到源极电压和合理的导通电阻使其适用于功率开关应用,如 DC-DC 转换器和开关电源。它能够有效控制功率流动,减少功率损耗,并提高电源的转换效率,特别是在中等功率的应用场合。

2. **电机驱动**
- 在电机驱动电路中,F513-VB 的特性使其能够可靠地控制电机的启停和调速。其稳定的导通电阻和适中的电流处理能力,有助于确保电机运行的平稳性和可靠性,广泛应用于电动工具和家用电器。

3. **电池管理**
- 对于电池管理系统(BMS),F513-VB 可以用作开关控制和保护功能。其低导通电阻和高电流处理能力有助于提升电池充放电效率,保障电池的安全性和系统的稳定性,适用于各种电池管理模块。

4. **汽车电子**
- 在汽车电子系统中,F513-VB 适合用于各种开关和控制应用,如灯光控制和电源管理。其较高的 VDS 和适中的 RDS(ON) 能够满足汽车电子系统的需求,提供稳定的性能和可靠的操作。

这些应用示例表明,F513-VB 在中等电压和电流需求的场合中表现出色,适合用于多种功率控制和开关应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询