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F2807Z-VB 产品详细

产品简介:

F2807Z-VB MOSFET 产品简介

**F2807Z-VB** 是一款高性能单极性 N 型 MOSFET,采用 TO220 封装,设计用于高电流和中等电压应用。其漏极-源极电压(VDS)为 80V,使其适合于中等电压的开关和电源管理系统。MOSFET 的栅极-源极电压(VGS)范围为 ±20V,提供了灵活的工作电压范围。阈值电压(Vth)为 3V,确保在较高的栅极电压下稳定开启。导通电阻(RDS(ON))低至 7mΩ(VGS = 10V),能够在处理大电流负载时实现极低的功率损耗。最大漏极电流(ID)为 100A,适合于高电流负载应用。F2807Z-VB 使用 Trench 技术,具有优异的开关性能和低导通电阻,非常适合高电流应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装**:TO220
- **配置**:单极性 N 型 MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS)**:80V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:7mΩ @ VGS = 10V
- **导通电阻(RDS(ON))**:9mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流(ID)**:100A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

**1. 高电流电源管理系统**:F2807Z-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其特别适合用于高电流电源管理系统,例如高功率 DC-DC 转换器和电源分配模块。在这些系统中,F2807Z-VB 能够提供高效的开关性能,减少功率损耗,提高系统效率和稳定性。

**2. 电机驱动器**:在电机驱动应用中,如高电流直流电机控制器,F2807Z-VB 的高电流承载能力和低 RDS(ON) 特性使其能够有效驱动高电流负载。其优异的开关性能保证了电机驱动系统的高效运行和可靠性。

**3. 高功率开关应用**:F2807Z-VB 适用于高功率开关应用,如高功率负载开关和逆变器。其低导通电阻使其能够在高电流条件下高效开关,从而提高系统的功率效率和稳定性。

**4. 电池管理系统**:在电池管理系统中,如电池保护和充放电控制,F2807Z-VB 的高电流处理能力和低导通电阻能够确保电池在充电和放电过程中保持高效和安全。其稳定的开关性能可以延长电池寿命,并提高整体系统的安全性。

这些应用示例展示了 F2807Z-VB 在高电流电源管理、电机驱动、高功率开关和电池管理等领域中的关键作用。其优异的性能使其在这些领域中成为理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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