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F1902-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**F1902-VB** 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封装。该 MOSFET 采用 Trench 技术,专为高电流和低导通电阻的应用设计。它的最大漏源电压(VDS)为 30V,支持 ±20V 的栅源电压(VGS)。MOSFET 的阈值电压(Vth)为 1.7V,在 VGS = 4.5V 时的导通电阻(RDS(ON))为 11mΩ,在 VGS = 10V 时为 8mΩ,最大漏极电流(ID)为 13A。F1902-VB 提供了高效的开关性能和低功耗,适用于各种高电流需求的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

- **型号**:F1902-VB
- **封装**:SOP8
- **配置**:单 N 通道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(VDS)**:30V
- **最大栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:13A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理系统(Power Management Systems)**:
F1902-VB 的低导通电阻和适中的电流处理能力使其适合用于电源管理系统,如 DC-DC 转换器和稳压器。它在这些应用中可以有效地减少功率损耗,提高系统效率,确保稳定的电源输出。

2. **电动汽车(Electric Vehicles, EVs)**:
在电动汽车的电池管理和动力系统中,F1902-VB 的高电流能力和低功耗特性能够提供稳定的性能。它能帮助提升电池管理系统的效率,降低能量损失,改善电动汽车的整体性能。

3. **电机驱动(Motor Drives)**:
F1902-VB 适用于电机驱动应用,例如工业电机控制和家用电机系统。它的高电流处理能力和低导通电阻能够支持电机的高效驱动,尤其在需要高可靠性和性能的应用场景中。

4. **功率因数校正(Power Factor Correction, PFC)**:
在功率因数校正电路中,F1902-VB 的低导通电阻有助于提高功率因数,减少电力损耗。它能有效改善电力系统的功率因数和效率,确保电力系统的稳定性和优化运行。

5. **高功率开关(High-Power Switching)**:
F1902-VB 的高电流能力和低导通电阻使其适合用于高功率开关应用,如电焊机和变频器。在这些应用中,它能够处理高电流负载,提供可靠的开关性能和高效的电流控制。

F1902-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个高功率、高效率的应用中表现出色,为系统提供了稳定性和高效的电流控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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