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F1010EZ-VB 产品详细

产品简介:

F1010EZ-VB MOSFET 产品简介

F1010EZ-VB是一款采用TO220封装的单N沟道MOSFET,设计用于高电流和高电压应用。其漏源电压(VDS)为60V,能够在中高电压环境下稳定工作。该器件采用了Trench(沟槽)技术,提供了极低的导通电阻(RDS(ON)),使其在高电流应用中具有卓越的性能。F1010EZ-VB具备120A的最大连续漏极电流(ID),适合用于对功率和效率要求较高的电源管理和功率控制系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
F1010EZ-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:5mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**:120A
- **技术**:Trench(沟槽技术)

领域和模块应用:

F1010EZ-VB 的应用领域和模块

F1010EZ-VB MOSFET凭借其高电流承载能力和低导通电阻,在多个领域和模块中表现出色:

1. **电源供应和管理**:在电源供应和管理系统中,F1010EZ-VB可以用作主开关,处理高电流负载,并提供高效的电源转换。其低导通电阻能够降低功耗和热量,提高系统效率。

2. **电机驱动器**:这款MOSFET适用于高电流电机驱动器,能够在高负载条件下稳定工作,适合用于电动机的驱动电路,包括步进电机和无刷直流电机。

3. **电池管理系统**:在电池管理系统中,F1010EZ-VB可用作功率开关,管理电池的充放电过程。其高电流能力和低导通电阻能够确保电池系统的高效运作。

4. **电源转换器**:它在DC-DC转换器中作为开关元件,能够处理高电流,适合用于需要大功率和高效能转换的场合,如计算机电源和工业电源模块。

通过这些应用实例可以看出,F1010EZ-VB MOSFET凭借其高电流能力和低导通电阻,广泛适用于需要高功率和高效率的电子设计,尤其是在高电流和高电压环境中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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