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ELM34808AA-VB 产品详细

产品简介:

一、ELM34808AA-VB 产品简介

ELM34808AA-VB 是一款高性能双N沟道MOSFET,采用SOP8封装。该器件结合了Trench技术,提供出色的开关性能和低导通电阻,适用于各种高效电源管理和开关应用。它具有30V的漏源极电压(VDS)和±20V的栅源极电压(VGS),适合处理广泛的电压范围。阈值电压(Vth)为1.7V,确保在低栅源电压下即可导通。ELM34808AA-VB的RDS(ON)在VGS为4.5V时为20mΩ,在VGS为10V时降低至16mΩ,使其能够承载高达8.5A的漏极电流(ID)。这款MOSFET广泛应用于需要高效电源转换和负载开关的场合,提供稳定的性能和高效率。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
二、ELM34808AA-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 双N沟道(Dual-N+N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS=4.5V
- 16mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 8.5A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用:

三、适用领域和模块示例

1. **电源管理模块**:ELM34808AA-VB 在电源管理应用中表现优异,特别是在DC-DC转换器和电源适配器中。其低RDS(ON)和高电流承载能力使其能有效提升电源转换效率,降低功耗,适用于需要高效电源控制的场合。

2. **负载开关**:该MOSFET在负载开关应用中提供了可靠的性能。由于其高电流能力和低导通电阻,它能够在各种开关应用中稳定地控制负载电流,广泛应用于智能家居、消费电子产品等领域。

3. **电机驱动控制**:在电机驱动系统中,ELM34808AA-VB 可作为高效的开关元件,支持较大的电流流动。其优良的开关特性和低功耗表现使其适用于各种电机控制应用,包括步进电机和无刷电机的驱动。

4. **通信设备**:在通信设备中,ELM34808AA-VB 可以用于电源切换和信号调理电路。其稳定性和高效性使其在通信系统中能够提供可靠的电源管理和信号处理能力,确保设备的正常运行。

5. **消费电子产品**:对于消费电子产品,例如手机充电器和便携式设备,ELM34808AA-VB 能够提供高效的电源开关解决方案。它的低导通电阻和高电流承载能力帮助提升设备的能效和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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