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ELM17407FA-VB 产品详细

产品简介:

一、ELM17407FA-VB 产品简介

ELM17407FA-VB 是一款高性能的 P 型 MOSFET,采用 SC70-3 封装设计,专为紧凑型电子产品和高密度电路板设计。它具有最大漏源击穿电压(VDS)为 -20V,适用于负电压应用。栅源电压(VGS)范围为 ±12V,确保在各种电压条件下的稳定性。该 MOSFET 的阈值电压(Vth)为 -0.6V,使其能够在较低的栅极电压下导通。采用 Trench 技术,ELM17407FA-VB 提供低导通电阻:在 VGS=2.5V 时为 100mΩ,在 VGS=4.5V 时为 80mΩ,最大漏极电流为 -3.1A。此 MOSFET 非常适合用于需要高效率和高集成度的电路设计,如开关电路和电源管理模块。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A 100mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-3 Single-P
二、ELM17407FA-VB 详细参数说明

1. **封装类型**:SC70-3
- **SC70-3** 封装是一种小型化的表面贴装封装,适用于高密度电路板设计,具有良好的空间利用和热管理性能。

2. **通道配置**:单通道 P 型
- 该 MOSFET 为单个 P 型通道设计,适用于负电压环境中的开关应用。

3. **漏源击穿电压(VDS)**:-20V
- 最大漏源击穿电压为 -20V,适合负电压环境中的应用,确保在负电压下稳定工作。

4. **栅源电压(VGS)**:±12V
- 栅极能够承受的最大电压为 ±12V,提供良好的栅极驱动电压范围,确保稳定性和可靠性。

5. **阈值电压(Vth)**:-0.6V
- 阈值电压为 -0.6V,确保在较低的栅极电压下就能有效导通,适合低电压驱动应用。

6. **导通电阻(RDS(ON))**:
- **100mΩ @ VGS=2.5V**:在栅极驱动电压为 2.5V 时的导通电阻。
- **80mΩ @ VGS=4.5V**:在栅极驱动电压为 4.5V 时的导通电阻。

7. **漏极电流(ID)**:-3.1A
- 最大漏极电流为 -3.1A,适合中等电流的开关应用。

8. **技术类型**:Trench
- 采用 Trench 技术,具有低导通电阻和高效开关性能,适用于高效能电路设计。

领域和模块应用:

三、ELM17407FA-VB 适用领域与模块

1. **开关电路**
- 在开关电路中,ELM17407FA-VB 可用作负电压开关,控制负载的通断状态。其低导通电阻和较低的阈值电压使其能够在较低的栅极电压下高效工作,适合用于负电压开关场景。

2. **电源管理**
- 适用于电源管理模块,尤其是在需要处理负电压或高效能开关的电路中。该 MOSFET 能够用作高效开关元件,优化电源的分配和转换效率。

3. **负载开关**
- 在负载开关应用中,ELM17407FA-VB 提供可靠的开关功能,能够稳定地控制负载的开关状态,适合用于各种电子设备的负载控制。

4. **低电压电路**
- 由于其低阈值电压和低导通电阻,ELM17407FA-VB 非常适合用于低电压电路设计,能够提高电路的整体效率和性能,特别是在需要高效低压开关的场合。

5. **逆向保护**
- 适合用作逆向电压保护电路,在负电压环境中有效防止设备受到电压反向损害。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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