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ELM14900AA-N-VB 产品详细

产品简介:

ELM14900AA-N-VB 产品简介

ELM14900AA-N-VB 是一款双 N 沟道 MOSFET,封装形式为 SOP8,专为中低电压应用设计。其漏源电压 (VDS) 为 30V,栅源电压 (VGS) 允许的范围为 ±20V。开启电压 (Vth) 为 1.7V,导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 26mΩ,在 VGS=10V 时为 22mΩ,最大漏极电流 (ID) 分别为 6.8A 和 6.0A。采用 Trench 技术,ELM14900AA-N-VB 提供了高效的开关性能和较低的功耗,适用于需要可靠电流控制和高效开关的电子应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A 22mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
ELM14900AA-N-VB 参数说明

1. **封装类型 (Package):** SOP8
2. **沟道配置 (Configuration):** 双 N 沟道 (Dual N+N-Channel)
3. **漏源电压 (VDS):** 30V
4. **栅源电压 (VGS):** ±20V
5. **开启电压 (Vth):** 1.7V
6. **导通电阻 (RDS(ON)):**
- 26mΩ @ VGS=4.5V
- 22mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏极电流 (ID):** 6.8A (1st Channel), 6.0A (2nd Channel)
8. **技术 (Technology):** Trench

领域和模块应用:

适用领域与模块

ELM14900AA-N-VB 的双 N 沟道设计和低导通电阻使其在多个领域和模块中表现出色。以下是几个典型应用示例:

1. **DC-DC 转换器:** 在 DC-DC 转换器中,ELM14900AA-N-VB 的高效开关性能和低导通电阻有助于优化转换效率,适合用于各种便携式设备、电源模块以及计算机电源管理系统。

2. **开关电源 (SMPS):** 该 MOSFET 适合用于开关电源设计中,能够稳定地控制电源转换,广泛应用于家用电器、通讯设备电源以及工业电源管理系统中。

3. **电机驱动:** ELM14900AA-N-VB 的双 N 沟道配置使其特别适用于电机控制应用。能够有效控制电机的启动、运行和停止,适用于电动工具、家用电器和自动化设备等领域。

4. **LED 驱动电路:** 在 LED 驱动电路中,该 MOSFET 提供了优良的开关性能和低导通电阻,有助于高效驱动 LED 照明系统,确保亮度一致性并降低能耗。

5. **负载开关:** 对于负载开关应用,如汽车电子和电池管理系统,ELM14900AA-N-VB 提供了可靠的电流控制和低功耗表现,确保系统的稳定性和可靠性。

ELM14900AA-N-VB 的优异性能和灵活应用使其在这些领域中成为理想的选择,提供了高效的开关和电流控制能力。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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