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ELM14805AA-N-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**ELM14805AA-N-VB** 是一款高效能的双 P 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。该 MOSFET 基于 Trench 技术,设计用于高电流和低导通阻抗应用。ELM14805AA-N-VB 的最大漏源电压 (VDS) 为 -30V,适合于负电压环境中的开关应用。其栅源电压 (VGS) 额定为 ±12V,栅源阈值电压 (Vth) 为 -1.7V。导通阻抗 (RDS(ON)) 为 28mΩ @ VGS = 4.5V 和 21mΩ @ VGS = 10V,最大漏电流 (ID) 为 -8A。该 MOSFET 提供了出色的开关性能和低功耗特性,适用于负电源开关和功率管理应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -1.7V -8A 21mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -1.7V -8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P -30V -1.7V -8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-P+P
详细参数说明

- **封装**:SOP8
- **配置**:双 P 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:-30V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±12V
- **栅源阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通阻抗 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- 21mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**:-8A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **负电源开关**:ELM14805AA-N-VB 适用于负电源开关应用。其双 P 沟道设计使其能够高效地处理负电压环境中的开关需求,减少功耗并提高系统的稳定性。例如,它可以用在负电源线路的开关控制中,确保系统的高效能和可靠性。

2. **功率管理系统**:在需要高电流和低导通阻抗的功率管理系统中,如 DC-DC 转换器和电源调节模块,ELM14805AA-N-VB 提供了稳定的开关性能。其低 RDS(ON) 和高电流能力有助于优化电源转换效率,提升整体系统的能效。

3. **负载控制**:在负载控制应用中,如电动窗户或电动座椅控制,ELM14805AA-N-VB 能够提供高效的负载开关解决方案。其双 P 沟道配置允许在负电压环境下进行精确的负载控制,增强设备的操作可靠性。

4. **LED 驱动**:在 LED 照明系统中,ELM14805AA-N-VB 可以用作高效的开关元件,支持高电流 LED 照明应用。其优异的导通阻抗和高电流能力确保了 LED 照明系统的高效和稳定。

5. **汽车电子**:在汽车电子系统中,如电动窗户控制、电动座椅调节等,ELM14805AA-N-VB 提供了可靠的负电源开关解决方案。其高电流处理能力和低导通阻抗使其能够处理汽车系统中的负载开关需求,确保车辆电子设备的稳定性和长寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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