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ELM14620AA-N-VB 产品详细

产品简介:

ELM14620AA-N-VB MOSFET 产品简介

ELM14620AA-N-VB 是一款双极性 N 型和 P 型 MOSFET 集成在单一封装中的高性能器件,采用了先进的 Trench 技术。封装形式为 SOP8,使其在紧凑的空间内提供可靠的双通道开关解决方案。此 MOSFET 的漏源电压为 ±30V,栅源电压范围为 ±20V,适用于高效能电源管理和开关应用。ELM14620AA-N-VB 提供了低导通电阻的性能,适合用于需要高电流和低功耗的各种电路设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 18/40mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
ELM14620AA-N-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**:ELM14620AA-N-VB
- **封装**:SOP8
- **配置**:双极 N 型 + P 型
- **漏源电压 (VDS)**:±30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N 型:1.6V
- P 型:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N 型:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- P 型:
- 50mΩ @ VGS=4.5V
- 40mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:±8A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **电源管理**:ELM14620AA-N-VB 的双极 N 型和 P 型 MOSFET 使其在电源管理系统中具有广泛应用,尤其是在 DC-DC 转换器和电源供应模块中。其低导通电阻和高电流承载能力有助于减少功耗和提高系统效率。

2. **负载开关**:在负载开关应用中,ELM14620AA-N-VB 提供了有效的开关性能,适合用于电池供电设备和电源开关模块。其双通道设计使得它能够在不同的开关需求下进行高效控制,减少功耗并提升开关效率。

3. **电机驱动**:该 MOSFET 的双极设计非常适合用于电机驱动电路中,特别是需要高效能和高电流处理的应用场景。其低导通电阻和高电流承载能力确保电机驱动模块的稳定性和效率,同时减少发热。

4. **功率转换器**:ELM14620AA-N-VB 可以用作功率转换器中的开关元件,如电力转换模块中的高侧和低侧开关。其优异的导通性能和双极性设计使其在高效能电源转换应用中表现出色,并能够处理较高的电流负载。

综上所述,ELM14620AA-N-VB 是一款在高电流和高效率要求的应用中表现优异的双极 N 型和 P 型 MOSFET。其低 RDS(ON) 值和高漏极电流使其在电源管理、负载开关、电机驱动和功率转换等领域具有广泛的应用潜力。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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