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ELM14615AA-N-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**ELM14615AA-N-VB** 是一款双MOSFET,包含 N-Channel 和 P-Channel 配置,封装形式为 SOP8,采用 Trench 技术。此 MOSFET 设计用于提供出色的开关性能和低导通电阻,能够在±30V的漏源极电压范围内稳定工作,适合多种电源管理和开关应用。这种双MOSFET的集成设计使得在复杂电路中进行空间节省和功能整合变得更加高效。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 18/40mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
详细参数说明

- **型号**: ELM14615AA-N-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双N-Channel + P-Channel
- **漏源极电压 (VDS)**: ±30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N-Channel: 1.6V
- P-Channel: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N-Channel:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- P-Channel:
- 50mΩ @ VGS=4.5V
- 40mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: ±8A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

**ELM14615AA-N-VB** 适用于以下领域和模块:

1. **电源管理**: 在开关电源和电池管理系统中,ELM14615AA-N-VB 可以作为高效的开关元件提供低导通电阻和高电流处理能力。它的双MOSFET设计使得在同一封装中实现正负电源切换或电流控制成为可能,从而提高了系统的集成度和设计灵活性。

2. **负载开关**: 在负载开关应用中,如消费电子产品和家用电器,ELM14615AA-N-VB 能够提供可靠的开关性能。N-Channel 和 P-Channel MOSFET 的组合可以有效地实现双向负载控制,适合需要正负电压操作的场合。

3. **H桥电机驱动**: 在电机驱动电路中,ELM14615AA-N-VB 的双MOSFET配置非常适合用作H桥驱动器的开关元件。其低导通电阻能够支持高电流电机驱动,实现高效的电机控制和反转操作。

4. **LED照明**: 在LED照明系统中,ELM14615AA-N-VB 可以用来实现高效的开关控制。双MOSFET的配置可以帮助实现LED的正负电源管理和开关操作,确保高效的亮度控制和电源管理。

5. **高密度电路设计**: 由于其 SOP8 封装,ELM14615AA-N-VB 适用于空间受限的高密度电路设计,如智能手机、便携式设备以及其他小型电子产品。在这些应用中,双MOSFET 的集成设计可以节省空间,并提供高效能量转换和开关性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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