产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
|
18/40mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-N+P |
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详细参数说明
- **型号**: ELM14615AA-N-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双N-Channel + P-Channel
- **漏源极电压 (VDS)**: ±30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N-Channel: 1.6V
- P-Channel: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N-Channel:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- P-Channel:
- 50mΩ @ VGS=4.5V
- 40mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: ±8A
- **技术**: Trench
领域和模块应用:
应用领域和模块示例
**ELM14615AA-N-VB** 适用于以下领域和模块:
1. **电源管理**: 在开关电源和电池管理系统中,ELM14615AA-N-VB 可以作为高效的开关元件提供低导通电阻和高电流处理能力。它的双MOSFET设计使得在同一封装中实现正负电源切换或电流控制成为可能,从而提高了系统的集成度和设计灵活性。
2. **负载开关**: 在负载开关应用中,如消费电子产品和家用电器,ELM14615AA-N-VB 能够提供可靠的开关性能。N-Channel 和 P-Channel MOSFET 的组合可以有效地实现双向负载控制,适合需要正负电压操作的场合。
3. **H桥电机驱动**: 在电机驱动电路中,ELM14615AA-N-VB 的双MOSFET配置非常适合用作H桥驱动器的开关元件。其低导通电阻能够支持高电流电机驱动,实现高效的电机控制和反转操作。
4. **LED照明**: 在LED照明系统中,ELM14615AA-N-VB 可以用来实现高效的开关控制。双MOSFET的配置可以帮助实现LED的正负电源管理和开关操作,确保高效的亮度控制和电源管理。
5. **高密度电路设计**: 由于其 SOP8 封装,ELM14615AA-N-VB 适用于空间受限的高密度电路设计,如智能手机、便携式设备以及其他小型电子产品。在这些应用中,双MOSFET 的集成设计可以节省空间,并提供高效能量转换和开关性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性