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DTP7N50SJ-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**DTP7N50SJ-VB** 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。它基于 SJ_Multi-EPI 技术,具有出色的高压性能和低导通阻抗。这款 MOSFET 的最大漏源电压 (VDS) 为 500V,适用于高电压开关和功率转换应用。其较高的栅源电压 (VGS) 额定值为 ±30V,确保在极端条件下的稳定性。DTP7N50SJ-VB 具有 550mΩ 的低 RDS(ON),能够有效减少功耗和热量。其 7A 的最大漏电流 (ID) 使其适合用于电力管理和驱动应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.5V 7A 550mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.5V 7A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.5V 7A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装**:TO220
- **配置**:单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:500V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **栅源阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通阻抗 (RDS(ON))**:550mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**:7A
- **技术**:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **电源管理系统**:DTP7N50SJ-VB 可以用于高压电源管理系统中,如电源转换器和逆变器。其高电压承受能力和低 RDS(ON) 能够有效降低系统的功耗,并提高能效。

2. **工业设备**:在工业自动化设备中,这款 MOSFET 可以作为电机驱动电路的开关元件。其高额定电压和电流承受能力使其能够处理高功率负载,并保证设备的稳定运行。

3. **汽车电子**:在汽车电子系统中,DTP7N50SJ-VB 可用于高压电源控制模块,比如电池管理系统 (BMS) 和电动汽车 (EV) 的电池充电系统。其高压能力和低导通阻抗使其在汽车应用中表现出色,能够有效处理电力需求。

4. **电力转换器**:该 MOSFET 还可以用于各种电力转换应用中,包括开关电源 (SMPS) 和 UPS 系统。其高电压耐受和低 RDS(ON) 特性有助于提高转换效率并减少热量生成。

5. **消费电子**:在高功率消费电子产品中,如高性能音响和视频设备中,DTP7N50SJ-VB 可用于电源开关和功率放大器的驱动。其稳定的电气特性能够确保这些产品的可靠性和性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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