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DMN6070SSD-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**DMN6070SSD-VB** 是一款封装为 SOP8 的双 N 型 MOSFET,采用 Trench 技术,设计用于中等到高电压和电流的应用。该 MOSFET 具有 60V 的最大漏源电压 (V_DS) 和 7A 的最大连续漏电流 (I_D),提供稳定的性能和高效率。阈值电压 (V_th) 为 1.7V,使其在低栅源电压下也能有效工作。导通电阻 (R_DS(on)) 在 V_GS 为 4.5V 和 10V 时分别为 30mΩ 和 28mΩ,确保高效的开关性能和低功耗。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 60V 1.7V 7A 28mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 60V 1.7V 7A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 60V 1.7V 7A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
详细参数说明

- **型号**: DMN6070SSD-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双 N 型 MOSFET (两个 N-Channel)
- **最大漏源电压 (V_DS)**: 60V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 30mΩ @ V_GS = 4.5V
- 28mΩ @ V_GS = 10V
- **最大连续漏电流 (I_D)**: 7A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **电源管理 (Power Management)**:
DMN6070SSD-VB 适用于各种电源管理应用,如 DC-DC 转换器和电源开关。其低导通电阻和高电流能力使其能够有效地处理大电流负载,同时减少功耗和热量生成。特别是在电源转换和调节中,它能提供稳定的性能和高效率。

2. **电动汽车和电池管理 (Electric Vehicles and Battery Management)**:
在电动汽车和电池管理系统中,该 MOSFET 可以用于电池保护电路和电动机驱动器。其 60V 的漏源电压和 7A 的电流能力适合处理电动汽车系统中的高电压和高电流应用,确保系统的可靠性和安全性。

3. **工业控制系统 (Industrial Control Systems)**:
DMN6070SSD-VB 也适用于工业控制系统中的负载开关和电源调节器。其高电流处理能力和低 R_DS(on) 特性使其能够支持各种工业应用中的开关和控制任务,提升系统的稳定性和效率。

4. **家电设备 (Home Appliances)**:
在家电设备中,例如冰箱、洗衣机和空调等,DMN6070SSD-VB 可以用于控制电机和加热元件。其高电流能力和低功耗特性帮助提高设备的性能和能效。

5. **计算机和通信设备 (Computers and Communication Devices)**:
该 MOSFET 适用于计算机和通信设备中的开关和电源管理模块。在这些设备中,DMN6070SSD-VB 能够处理信号切换和电源调节,支持设备的稳定运行和高效能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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