DMN4008LFG-VB - VBsemi MOS管制造商

DMN4008LFG-VB 产品详细

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产品简介：

产品简介

**DMN4008LFG-VB** 是一款高效能的 N-Channel MOSFET，采用紧凑的 DFN8 (3x3) 封装，非常适合空间受限的应用。其漏源电压 (VDS) 为 40V，栅源电压 (VGS) 额定值为 ±20V，具有优异的导通电阻 (RDS(ON)) 表现，在 VGS = 4.5V 时为 6mΩ，在 VGS = 10V 时降至 4.5mΩ。这款 MOSFET 采用 Trench 技术，支持高达 40A 的连续漏极电流，提供低损耗和高效能，非常适合高密度的功率管理应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		2.5V	40A			4.5mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		2.5V	40A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		2.5V	40A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-N

详细参数说明

- **封装**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 单一 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 40A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

应用领域和模块示例

1. **服务器电源管理**: DMN4008LFG-VB 常用于服务器电源管理系统中，尤其适合在高密度电源转换模块中应用。其低导通电阻和高电流能力确保了在高功率应用中提供稳定且高效的电源管理。

2. **电池保护电路**: 在锂电池管理系统中，这款 MOSFET 因其低损耗特性而被广泛应用于电池保护电路中，帮助延长电池的使用寿命，并提供过流保护。

3. **电动工具控制**: 由于其高电流处理能力，DMN4008LFG-VB 非常适用于电动工具的控制电路中，提供低热量产生和高效能的电流控制，使得电动工具在高负载下能够稳定运行。

4. **消费类电子产品**: 这款 MOSFET 也适用于各种消费类电子产品中的电源开关和负载开关应用，尤其在空间有限且需要高效能的设备中表现优异，如智能手机和平板电脑等便携式设备。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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