推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

DMN313DLT-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**DMN313DLT-VB** 是一款高效能的单N沟道MOSFET,封装形式为SC75-3,采用Trench技术。这款MOSFET设计用于在最大20V的漏源电压(VDS)下运行,并能够承受高达0.85A的漏电流(ID)。其低栅极阈值电压和适中的导通电阻使其特别适合用于低功耗和空间受限的应用场合。该MOSFET的紧凑封装和优异的电气特性使其在各种小型电子设备中表现出色。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC75-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 0.85A 390mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC75-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC75-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 0.85A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC75-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 0.85A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC75-3 Single-N
详细参数说明

- **型号**: DMN313DLT-VB
- **封装**: SC75-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 390mΩ @ VGS = 2.5V
- 270mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**: 0.85A
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

**1. 便携式电子设备**: DMN313DLT-VB的SC75-3封装使其非常适合用于空间受限的便携式电子设备,如智能手机、手表和便携式传感器。这些设备需要在有限的空间内实现高效电源管理,DMN313DLT-VB的低导通电阻和小巧的封装正好满足这一需求。

**2. 电源管理模块**: 在低功耗电源管理模块中,这款MOSFET能有效提升效率,如在低功耗DC-DC转换器和电源开关电路中应用。其适中的导通电阻和高电流承载能力使其能够在小型电源管理系统中提供稳定的性能和较低的功耗。

**3. 小型开关电路**: DMN313DLT-VB也适用于各种小型开关电路,例如低功率开关模式电源(SMPS)和负载开关。这些应用中需要可靠的开关控制,DMN313DLT-VB能够在较低的栅源电压下提供稳定的开关性能,从而优化电路的整体效率。

**4. 低功耗信号控制**: 在低功耗信号控制电路中,如传感器接口和小型通信模块,这款MOSFET的低栅极阈值电压和小封装可以确保电路的高效运行,并降低能量损耗。它的高效能和小巧尺寸非常适合用于需要节省空间和功耗的应用。

DMN313DLT-VB MOSFET的设计和性能使其在多个低功耗、高密度的电子应用中表现出色,体现了其在提高系统效率和可靠性方面的关键作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询