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DMG6898LSDQ-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**DMG6898LSDQ-VB** 是一种高性能的双极 N-Channel MOSFET,采用 SOP8 封装。该 MOSFET 具有 20V 的漏源电压 (VDS) 和 10A 的连续漏电流 (ID),适用于需要低电压和中等电流的开关应用。它采用先进的 Trench 技术,具有低导通阻抗,能够在较低的栅源电压下提供高效的开关功能。其阈值电压 (Vth) 范围为 0.5V 至 1.5V,使其适合于低电压控制应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 10A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 10A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
详细参数说明

- **封装**: SOP8
- **配置**: 双极 N+N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **导通阻抗 (RDS(ON))**:
- 12mΩ(在 VGS=4.5V 时)
- 9mΩ(在 VGS=10V 时)
- **连续漏电流 (ID)**: 10A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块

**DMG6898LSDQ-VB** MOSFET 的双极 N-Channel 配置和低导通阻抗使其适用于以下领域和模块:

1. **电源管理和开关电路**:
- 在 DC-DC 转换器和电源管理模块中,作为高效的开关元件使用。其低导通阻抗确保高效的电流转换和管理,适用于各种电源转换应用。
- 用于电源开关和负载开关,能够处理较高的电流并降低功耗,适合于计算机电源和高性能电子设备。

2. **消费电子设备**:
- 在消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,用作开关控制器,提供稳定的电流供应,确保设备的高效运行。
- 适用于充电电路和电池管理系统中,能够在低电压下高效控制电流流动,优化充电过程和延长电池寿命。

3. **汽车电子**:
- 在汽车电子模块中,如电动窗、车载照明和座椅调节器中作为开关使用,提供稳定可靠的电流控制。其低导通阻抗特性有助于提高汽车电子系统的能效。
- 用于汽车的电源管理系统中,能够处理电流负载并提高系统的整体效率和性能。

4. **电动工具和小型电机驱动**:
- 在电动工具和小型电机驱动系统中作为开关器件使用,能够处理较高的电流并提供可靠的电流控制,适合用于电动工具和小型电动设备。
- 适用于电机驱动电路中,为电动机提供稳定的电流开关,确保设备的可靠性和性能。

通过应用 **DMG6898LSDQ-VB** MOSFET,可以实现高效的电源管理和稳定的开关功能,适用于多种电压较低但电流较大的应用场景,提升系统的整体性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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