产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
110/190mΩ |
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
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详细参数说明
- **封装**: SC70-6
- **配置**: 双极性 N 沟道 + P 沟道
- **最大漏极源极电压 (VDS)**: ±20V
- **最大栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N 沟道: 1.0V
- P 沟道: -1.2V
- **导通阻抗 (RDS(ON))**:
- N 沟道:
- 110mΩ @ VGS = 2.5V
- 90mΩ @ VGS = 4.5V
- P 沟道:
- 190mΩ @ VGS = 2.5V
- 155mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**:
- N 沟道: 3.28A
- P 沟道: -2.8A
- **技术**: Trench
领域和模块应用：
应用领域和模块示例
1. **便携式电子设备**:
DMG1016UDW-7-VB 适用于便携式电子设备中的电源管理和开关控制。其小型 SC70-6 封装和低导通阻抗使其能够高效地处理电池供电的设备中的电流和电压管理。
2. **负载开关**:
该 MOSFET 可用于负载开关应用，特别是在需要正负电压控制的电路中，如电源开关模块和负载切换电路。其双极性特性使其能够适应多种电压和电流条件。
3. **小型电机驱动**:
在小型电机驱动应用中，例如微型风扇或电动工具，DMG1016UDW-7-VB 可以作为高效开关元件进行电机控制。其低导通阻抗和高电流能力提供了良好的电机性能。
4. **信号开关和模拟开关**:
DMG1016UDW-7-VB 适用于高频信号开关和模拟信号处理中的应用。它的快速开关特性和稳定性使其成为通信设备和数据交换模块的理想选择。
DMG1016UDW-7-VB 的双极性配置、低导通阻抗和小型封装使其在便携式电子设备、负载开关、小型电机驱动和信号开关等应用中表现优异，为这些应用提供了高效、可靠的解决方案。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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