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DMC3021LSD-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**DMC3021LSD-VB** 是一款高性能双极性 N+P-Channel MOSFET,采用 SOP8 封装。它具有±30V的漏源电压(VDS),适用于双极性电源应用。其阈值电压分别为 1.6V(N-Channel)和 -1.7V(P-Channel),使其在低栅源电压下也能良好导通。DMC3021LSD-VB 的导通电阻在不同栅源电压下分别为 24/50mΩ 和 18/40mΩ,提供了优异的开关性能和低导通损耗。这款 MOSFET 使用了 Trench 技术,优化了开关特性和导通电阻,适合于需要高效和可靠的电流控制的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 18/40mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
详细参数说明

- **型号**: DMC3021LSD-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双 N-Channel + P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: ±30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N-Channel: 1.6V
- P-Channel: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N-Channel:
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- 18mΩ @ VGS = 10V
- P-Channel:
- 50mΩ @ VGS = 4.5V
- 40mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: ±8A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **电源管理和开关电源**:
- 在电源管理和开关电源应用中,DMC3021LSD-VB 的双极性设计和低导通电阻使其非常适合用作电源开关和电流控制。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高电源转换效率,并减少功耗和热量产生。

2. **DC-DC 转换器**:
- 在 DC-DC 转换器中,DMC3021LSD-VB 可以用作高效的开关元件,控制电源的开关和调节功能。其 Trench 技术保证了稳定的开关特性,适用于需要高转换效率和小尺寸的应用。

3. **电机驱动电路**:
- 在电机驱动电路中,DMC3021LSD-VB 的双极性特性允许它在正负电源配置下稳定工作。它能够高效控制电机的启动、停止和调速,特别是在小型电机驱动应用中表现优异。

4. **消费电子产品**:
- 在消费电子产品如智能手机、平板电脑等中,DMC3021LSD-VB 的紧凑封装和高效性能使其适合用于电源开关和电流管理。其低导通电阻和高电流能力可以满足这些设备对高效电源管理的要求。

5. **工业自动化系统**:
- 在工业自动化系统中,DMC3021LSD-VB 可以用作负载开关和功率控制元件,支持高电流和高效的电源管理。它的高电流承载能力和双极性设计使其适合用于工业控制系统中,实现可靠的电流控制和切换操作。

以上是 DMC3021LSD-VB 的详细产品信息及其应用领域示例。如果需要更多技术细节或其他帮助,请随时告诉我!
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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