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CSD19533KCS-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

CSD19533KCS-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,封装为TO220,采用先进的Trench工艺技术。该MOSFET具有100V的击穿电压(VDS),可以承受±20V的门极电压(VGS),并且门极阈值电压(Vth)为2.5V。其漏极-源极导通电阻(RDS(ON))在VGS为4.5V时为20mΩ,而在VGS为10V时降至9mΩ,最大漏极电流(ID)达到100A。这款MOSFET特别适合用于高电压、高电流的应用场景,为电源管理和功率转换提供高效、可靠的解决方案。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、详细参数说明

| **参数** | **数值** |
|------------------------|---------------------------|
| **封装** | TO220 |
| **配置** | 单N沟道 |
| **击穿电压(VDS)** | 100V |
| **门极电压(VGS)** | ±20V |
| **门极阈值电压(Vth)**| 2.5V |
| **导通电阻(RDS(ON))@VGS=4.5V** | 20mΩ |
| **导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V** | 9mΩ |
| **最大漏极电流(ID)**| 100A |
| **技术** | Trench工艺 |

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

1. **电源管理**
- **高电压DC-DC转换器**:CSD19533KCS-VB 的高击穿电压和低导通电阻使其非常适合用于高电压DC-DC转换器中,可以有效地转换和管理电源,提高整体转换效率,广泛应用于计算机电源、服务器电源和工业电源模块中。

2. **负载开关**
- **高电流负载开关**:在工业设备和电动工具中,该MOSFET可以用于高电流负载开关,凭借其高电流承载能力和低导通损耗,确保可靠的负载管理和稳定性,特别是在要求高耐压的应用场合。

3. **电机控制**
- **高电压电机驱动**:在电动汽车、电动工具和高功率电机控制系统中,CSD19533KCS-VB 的高击穿电压和低导通电阻使其成为理想的电机驱动开关器件,提高电机的效率和性能。

4. **电池管理系统**
- **高电压电池保护**:该MOSFET 可以用于高电压电池管理系统,确保电池充放电过程的安全性和效率,适用于电动汽车、高性能电池组和储能系统。

5. **功率逆变器**
- **太阳能和风能逆变器**:在太阳能和风能逆变器中,CSD19533KCS-VB 的高电压耐受能力和低导通损耗帮助提升系统的效率,确保稳定的能量转换和可靠的长期运行。

6. **照明控制**
- **高功率LED驱动**:在高功率LED照明应用中,该MOSFET 可以用于驱动电路中的开关控制,提供高效的功率管理和可靠的电流控制,适用于商业照明和高亮度LED照明系统。

CSD19533KCS-VB 以其高电流处理能力和低导通电阻,适合各种高电压和高功率应用,确保电源管理和功率控制的高效性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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