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CSD16406Q3-VB 产品详细

产品简介:

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CSD16406Q3-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,封装为 DFN8(3x3),采用先进的 Trench 技术。它具有极低的导通电阻和高电流承受能力,适合用于各种高效能电源管理应用。该 MOSFET 能承受最高 30V 的漏极-源极电压(VDS),栅极-源极电压(VGS)范围为 ±20V,栅极阈值电压(Vth)为 1.7V。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 5mΩ,在 VGS=10V 时为 3.9mΩ,最大漏极电流(ID)为 60A。这使得 CSD16406Q3-VB 在高电流和低功耗应用中具有优越的性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A 3.9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
详细参数说明

1. **封装类型**:DFN8(3x3)
2. **配置**:单 N 通道
3. **漏极-源极电压 (VDS)**:30V
4. **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
5. **栅极阈值电压 (Vth)**:1.7V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3.9mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏极电流 (ID)**:60A
8. **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

CSD16406Q3-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个应用领域中表现出色。以下是该产品的一些典型应用领域和模块:

1. **DC-DC转换器**:在 DC-DC 转换器设计中,该 MOSFET 可用作开关元件,提供低导通电阻和高开关效率,适合用于计算机电源、通讯设备和各种电子设备中的电源管理。

2. **电源管理**:在电源管理应用中,CSD16406Q3-VB 可以用作电源开关,优化电流流动,减少功耗,提高整体系统效率。其紧凑的 DFN 封装特别适合空间受限的设计。

3. **电池保护**:在电池保护电路中,该 MOSFET 能有效地开关负载,防止过流和短路情况,保护电池免受损坏。适用于便携式电子设备、电动车辆等。

4. **LED驱动器**:在 LED 驱动电路中,CSD16406Q3-VB 可用作高效的开关元件,控制 LED 的亮度和开关,适用于各种照明应用。

5. **高效能开关**:在各种高效能开关应用中,如功率放大器和电动机驱动电路,CSD16406Q3-VB 提供低导通电阻和高电流处理能力,确保开关操作的可靠性和效率。

6. **便携式电子设备**:在智能手机、平板电脑等便携式设备中,该 MOSFET 可用作电源管理开关,帮助提高设备的能效和延长电池寿命。

通过这些应用场景的示例,CSD16406Q3-VB 展示了其在高效、高电流和低功耗设计中的优越性能,是各种电子设备和电源管理应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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