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CMT08N50N220-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

**CMT08N50N220-VB**是一款高性能N沟道MOSFET,采用TO220封装。它的设计旨在提供高效、可靠的开关性能,适用于各种应用场景。其主要特点包括500V的漏源电压(VDS),±30V的栅源电压(VGS),以及在VGS=10V时的660mΩ的导通电阻(RDS(ON))。该MOSFET能够承载高达13A的漏极电流(ID),采用了平面技术,确保了稳定的电气性能和长寿命。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A 660mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、详细参数说明

1. **基本参数**
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **技术**:平面

2. **电气参数**
- **漏源电压(VDS)**:500V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.1V
- **导通电阻(RDS(ON))**:660mΩ@VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:13A

3. **热学参数**
- **结温范围(Tj)**:-55°C至+150°C
- **热阻(结到壳体)(RθJC)**:典型值0.83°C/W

4. **动态参数**
- **输入电容(Ciss)**:1400pF
- **输出电容(Coss)**:110pF
- **反向传输电容(Crss)**:5pF

领域和模块应用:

三、应用领域和模块示例

**CMT08N50N220-VB**的高电压和电流承载能力使其在许多应用领域表现出色。以下是一些具体应用示例:

1. **开关电源(SMPS)**
- 在开关电源中,该MOSFET可以作为开关元件,用于控制电流的导通和关断,实现电能的高效转换和稳定输出。其高电压和低导通电阻特性确保了高效的功率传输。

2. **电机驱动**
- 在电机控制系统中,该MOSFET可以用于驱动直流电机或无刷直流电机(BLDC),提供高效的电能转换和精确的电流控制,适用于工业自动化设备、家用电器等领域。

3. **照明控制**
- 在LED照明控制中,该MOSFET可以作为调光电路的开关元件,控制LED灯的亮度。其高电压特性使其适用于大功率LED照明系统。

4. **逆变器和变频器**
- 在逆变器和变频器应用中,该MOSFET可以用于电能的转换和调节,特别是在太阳能逆变器和电动汽车充电器中,提供高效的电能管理。

通过以上应用示例可以看出,**CMT08N50N220-VB**在高压、大电流的应用场景中具有广泛的适用性和优越的性能,能够满足不同领域对可靠性和效率的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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