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CMS4946-VB 产品详细

产品简介:

CMS4946-VB MOSFET 产品简介

CMS4946-VB是一款高性能的双N沟道MOSFET,采用沟槽(Trench)技术制造,封装形式为SOP8。它具有两个独立的N沟道MOSFET,分别适用于高电压(60V)和高电流(7A)的应用。其低导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时为30mΩ,在VGS=10V时为28mΩ,使其在要求低功耗和高效率的场景中表现优异。该器件的阈值电压(Vth)为1.7V,适合用于低电压驱动和高效能开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 60V 1.7V 7A 28mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 60V 1.7V 7A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 60V 1.7V 7A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
CMS4946-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装形式**:SOP8
- **配置**:双N沟道
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 30mΩ @ VGS=4.5V
- 28mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:7A
- **技术**:沟槽(Trench)

领域和模块应用:

CMS4946-VB MOSFET 应用领域和模块举例

1. **电源管理(Power Management)**:
- CMS4946-VB适用于电源管理模块中的高效开关和电流控制。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够在电源分配和保护系统中提供可靠的性能,提高系统的能效和稳定性。

2. **DC-DC转换器(DC-DC Converters)**:
- 该MOSFET非常适合用作DC-DC转换器中的开关器件,特别是在需要低功耗和高效能的转换器设计中。它能够有效地降低能量损耗,提高整体转换效率。

3. **电机驱动(Motor Drives)**:
- 在电机驱动应用中,CMS4946-VB能够处理高电流负载,适用于直流电机和步进电机的驱动电路。其低导通电阻和高电流能力确保了电机的高效运行和精确控制。

4. **开关电源(Switching Power Supplies)**:
- 在开关电源设计中,CMS4946-VB作为开关元件具有高电流承载能力和低功耗特性,能够有效地处理高电压和高电流需求,提高电源的整体性能和可靠性。

5. **负载开关(Load Switching)**:
- 该MOSFET适用于负载开关应用,如负载控制和功率切换。其高效能和可靠性使其能够在多种负载条件下提供稳定的开关操作。

通过这些应用示例,CMS4946-VB MOSFET展示了其在高电压和高电流处理场景中的广泛适用性,适合用于各种需要高效开关和低功耗的电子电路。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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