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CMP75N80-VB 产品详细

产品简介:

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CMP75N80-VB是一款高性能N沟道MOSFET,采用TO220封装。它利用Trench技术,提供优越的电流承载能力和低导通电阻。该型号具有80V的漏源电压、100A的漏极电流能力和非常低的导通电阻,适合用于需要高效率和高功率处理的应用。CMP75N80-VB被广泛应用于电源管理、开关电路及其他要求高性能的电子设计中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: CMP75N80-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 80V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块举例

1. **高功率开关电路**:
- CMP75N80-VB在高功率开关电路中表现出色。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够高效地处理大电流负载,非常适合用于电源开关和负载开关应用。

2. **电源转换器**:
- 该MOSFET在电源转换器中提供高效能和低损耗,适用于DC-DC转换器和AC-DC适配器,确保电源转换的高效和稳定。

3. **电动汽车**:
- 在电动汽车的电力传输和电池管理系统中,CMP75N80-VB能够处理高功率需求,提升电动汽车的整体性能和能效。

4. **电机驱动**:
- 该MOSFET适用于电机驱动应用,如直流电机和步进电机驱动器,提供高效的电流开关,确保电机的稳定运行。

5. **太阳能逆变器**:
- CMP75N80-VB在太阳能逆变器中能够高效转换和控制电流,提高太阳能系统的效率和可靠性,适合用于高功率的太阳能逆变器设计。

通过这些应用实例,CMP75N80-VB MOSFET显示出在多个领域的广泛适用性和优越性能,为高功率和高效率的电子设计提供了理想的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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