推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

CMP4N65-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**CMP4N65-VB** 是一款高耐压N沟道MOSFET,封装类型为TO220,专为高电压应用设计。该MOSFET支持最大650V的漏源电压(VDS),适用于高压环境中的开关和放大应用。其最大门源电压(VGS)为±30V,门阈值电压(Vth)为3.5V,确保在适当的门源电压下能够有效开启。CMP4N65-VB 采用平面(Plannar)技术,具有较高的漏源电阻,在VGS=10V时其导通电阻为2200mΩ,能够承受最大4A的漏极电流(ID),适合于要求高耐压和高稳定性的场合。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 4A 2200mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 4A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大门源电压 (VGS)**: ±30V
- **门阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2200mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 4A
- **技术**: 平面(Plannar)

领域和模块应用:

应用领域和模块

**CMP4N65-VB** 的高耐压特性使其在多个高电压领域和模块中具有广泛的应用:

1. **开关电源**:由于其650V的高耐压能力,CMP4N65-VB 非常适合用于开关电源模块中,如AC-DC适配器和高压DC-DC转换器。其高电压承受能力和稳定性使其能够在高电压环境中高效地工作,提供可靠的电源开关功能。

2. **电机驱动**:在需要高耐压的电机驱动系统中,该MOSFET 可用于电机的开关控制。例如,在电动工具和工业电机驱动中,CMP4N65-VB 能够处理高电压并提供稳定的电流开关,以确保电机运行的可靠性和效率。

3. **功率放大器**:在功率放大器应用中,特别是在高电压放大器中,CMP4N65-VB 的高电压能力使其能够稳定地工作并处理高电压信号。这使其适合用于音响系统、无线电频率(RF)放大器和其他高功率应用中。

4. **高压开关**:在高压开关应用中,例如高压继电器和开关设备,CMP4N65-VB 提供了高电压开关能力。其耐高压的设计确保了在高电压切换中的可靠性和安全性,适用于各种工业和电子设备中的开关控制。

5. **电源管理**:该MOSFET 也适用于电源管理应用中,如电源保护电路和高压功率管理系统。其高电压处理能力和相对较低的导通电阻有助于提升电源系统的稳定性和效率。

综上所述,**CMP4N65-VB** 由于其高电压承受能力和可靠的性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、功率放大器、高压开关和电源管理等领域,提供了高效且稳定的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询