CHT84WPT-VB - VBsemi MOS管制造商

CHT84WPT-VB 产品详细

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产品简介：

CHT84WPT-VB MOSFET 产品简介

CHT84WPT-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用SC70-3封装，设计用于低电流和中等电压应用。这款MOSFET结合了Trench技术，具有适中的导通电阻和广泛的栅源极电压适应范围，适合用于高效的开关和电源管理系统。其小巧的封装使其在空间有限的应用中尤为适用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC70-3	Single-P	-60V		-1.7V	-0.135A			4000mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC70-3	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC70-3	Single-P	-60V		-1.7V	-0.135A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC70-3	Single-P	-60V		-1.7V	-0.135A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SC70-3	Single-P

CHT84WPT-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**：SC70-3
- **配置**：单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：-60V
- **栅源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 5000mΩ @ VGS=4.5V
- 4000mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：-0.135A
- **技术**：Trench

领域和模块应用：

CHT84WPT-VB MOSFET 应用领域和模块

#### 小型电源管理
CHT84WPT-VB 的低电流能力和适中的导通电阻使其适合用于小型电源管理模块。在这些应用中，这款MOSFET可以用于低功耗电源开关，提供高效的能量传输和控制。

#### 移动设备
在移动设备如智能手机、平板电脑和穿戴式设备中，CHT84WPT-VB 的小巧封装和低电流特性使其成为理想的选择。它可以用于电源开关和电源管理，优化设备的电池使用寿命和性能。

#### 便携式电子产品
CHT84WPT-VB 的小型SC70-3封装非常适合空间受限的便携式电子产品。其适中的导通电阻和低电流能力使其在这些应用中能够有效地进行开关控制，提高产品的整体效率。

#### 低功耗开关应用
在低功耗开关应用中，如小型家电和LED驱动电路，CHT84WPT-VB 提供了可靠的开关性能。其Trench技术确保了开关动作的高效和稳定，适合于需要精确控制的小功率应用。

综上所述，CHT84WPT-VB MOSFET 凭借其小巧封装和适中的电气性能，成为各种低电流、高效能应用中的理想选择。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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