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CEP85N75-VB 产品详细

产品简介:

一、CEP85N75-VB 产品简介

CEP85N75-VB 是一款高效能的单N型MOSFET,采用TO220封装,专为需要高电流和高电压处理能力的应用而设计。其漏源电压(VDS)为80V,栅源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V。在10V栅源电压下,该器件的导通电阻(RDS(ON))仅为7毫欧,在4.5V时为9毫欧。CEP85N75-VB 的最大连续漏极电流(ID)为100A,使用先进的Trench工艺技术,提供低导通电阻和高电流处理能力,非常适合高功率开关和电源管理应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、CEP85N75-VB 详细参数说明

1. **基本参数**:
- **型号**:CEP85N75-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单N型(Single-N-Channel)

2. **电气参数**:
- **漏源电压(VDS)**:80V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:3V

3. **导通特性**:
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流(ID)**:100A

4. **技术**:
- **工艺技术**:Trench

领域和模块应用:

三、应用领域及模块举例

CEP85N75-VB 的高电流和高电压能力使其适用于多个领域和模块,具体包括:

1. **电源开关**:
- **应用**:电源开关、DC-DC转换器
- **描述**:在电源开关和DC-DC转换器中,CEP85N75-VB 的高电流能力和低导通电阻可以高效地处理大电流,同时在高电压环境下稳定工作,提升电源转换效率和可靠性。

2. **功率放大器**:
- **应用**:功率放大器、电机控制
- **描述**:该MOSFET 可以在功率放大器和电机控制模块中处理高电流负载,确保高效能和低功耗的操作,适用于需要大电流驱动的应用。

3. **工业电源系统**:
- **应用**:工业电源系统、高功率设备
- **描述**:在工业电源系统和高功率设备中,CEP85N75-VB 提供稳定的电流处理能力,能够承受高电压和大电流,适合用于高要求的电力控制和分配系统。

4. **汽车电子**:
- **应用**:汽车电源管理、启动电路
- **描述**:CEP85N75-VB 能够处理汽车电子系统中的高电流负载,特别是在电源管理和启动电路中,提供可靠的性能和高效的电流处理能力。

CEP85N75-VB 的设计优化了高电流和高电压处理能力,适用于电源开关、功率放大器、工业电源系统和汽车电子等多个领域,确保系统的高效、可靠运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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