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CEP51A3-VB 产品详细

产品简介:

一、CEP51A3-VB 产品简介

CEP51A3-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,封装为 TO220。它采用 Trench 技术,以实现低导通电阻和优异的开关性能。该 MOSFET 的最大漏源电压 (VDS) 为 30V,栅源电压 (VGS) 可承受 ±20V。其阈值电压 (Vth) 为 1.7V,导通电阻 (RDS(ON)) 在 10V 栅极电压下为 6mΩ,最大漏极电流 (ID) 高达 80A。这些特性使 CEP51A3-VB 在高电流、高开关频率的应用中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 80A 6mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、CEP51A3-VB 详细参数说明

| 参数 | 数值 | 说明 |
| --- | --- | --- |
| 封装 | TO220 | 适用于高功率和高电流应用的标准封装 |
| 配置 | Single-N-Channel | 单 N 沟道 MOSFET |
| 漏源电压 (VDS) | 30V | 最大漏源电压,适合中低电压应用 |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V | 最大栅源电压 |
| 阈值电压 (Vth) | 1.7V | MOSFET 的开启电压 |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS=4.5V
6mΩ @ VGS=10V | 在 4.5V 和 10V 栅极电压下的导通电阻 |
| 漏极电流 (ID) | 80A | 最大连续漏极电流 |
| 技术 | Trench | 沟槽技术,提供低导通电阻和高开关效率 |

领域和模块应用:

三、CEP51A3-VB 的应用领域和模块

CEP51A3-VB 的高电流和低导通电阻特性使其适用于多种需要高性能开关的应用场景:

1. **电源管理**
- **应用**:DC-DC 转换器、高效电源开关、电源适配器。
- **说明**:在电源管理系统中,CEP51A3-VB 可以用作 DC-DC 转换器和高效电源开关。其低导通电阻和高电流承载能力确保了电源的高效转换和稳定性。

2. **电机驱动**
- **应用**:直流电机驱动、电动工具、电动汽车驱动。
- **说明**:在电机驱动系统中,CEP51A3-VB 可用于直流电机和电动工具的驱动电路。其高电流能力和低导通电阻提高了电机的驱动效率和性能。

3. **工业控制**
- **应用**:高功率负载开关、电动机控制、继电器驱动。
- **说明**:CEP51A3-VB 可以用于工业控制系统中的高功率负载开关和电动机控制。其高电流承载能力使其能够处理工业级负载,提升系统的可靠性和耐用性。

4. **消费电子**
- **应用**:高功率音响系统、显示器电源管理、高效充电器。
- **说明**:在消费电子产品中,CEP51A3-VB 适用于高功率音响系统和显示器电源管理。其低导通电阻和高电流能力确保了设备的稳定运行和高效能。

5. **新能源**
- **应用**:太阳能逆变器、电动汽车充电桩、电池管理系统。
- **说明**:在新能源领域,CEP51A3-VB 可用于太阳能逆变器和电动汽车充电桩。其高电流能力和低导通电阻使其能够满足新能源系统的高效能和可靠性要求。

CEP51A3-VB 凭借其高电流承载能力和低导通电阻,提供了出色的开关性能和效率,广泛适用于需要高功率和高效能的各种应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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