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CEP13N10L-VB 产品详细

产品简介:

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CEP13N10L-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,封装形式为TO220,采用沟槽技术(Trench)。它设计用于中高压应用,具备100V的漏源极电压和较低的阈值电压,适合处理高电流的开关和功率转换任务。CEP13N10L-VB的导通电阻相对较低,能够有效减少功率损耗,提高系统效率,是在高效能和高可靠性应用中重要的组件。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A 127mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:100V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 127mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:18A
- **技术类型**:沟槽技术(Trench)

领域和模块应用:

适用领域和模块举例
1. **DC-DC转换器**:CEP13N10L-VB在DC-DC转换器中表现优异。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够有效地转换电压,并提供稳定的输出,广泛应用于电源模块、计算机电源和通信设备中的电压调节。

2. **电机驱动**:在电机驱动应用中,CEP13N10L-VB的高漏极电流和低导通电阻使其能够提供高效的开关控制。它适用于电动工具、电动汽车和家电设备中,确保电机驱动系统的高效能和稳定运行。

3. **功率开关**:该MOSFET非常适用于功率开关应用,如开关电源和电源管理系统。其高电流能力和低导通电阻使其能够高效地切换大功率负载,提升系统的整体效率。

4. **电源管理系统**:CEP13N10L-VB在电源管理系统中的应用包括电源保护开关和负载开关。它能够处理高电流负载,并在电源模块中提供稳定的开关功能,提升系统的可靠性和安全性。

5. **工业控制**:在工业控制系统中,CEP13N10L-VB用于高电流开关和功率转换模块。其高电流处理能力和较低的导通电阻使其能够满足各种工业设备对功率开关的要求,确保设备的高效和稳定操作。

CEP13N10L-VB凭借其优良的电气性能和适用范围,为高效能功率开关和电源管理应用提供了可靠的解决方案,适合在各种需要高电流和高效率的场合中使用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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