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CEP12N5-VB 产品详细

产品简介:

一、CEP12N5-VB产品简介

CEP12N5-VB是一款高压N沟道MOSFET,封装形式为TO220,专为高电压和高电流应用设计。其最大漏源电压(VDS)为650V,栅源电压(VGS)为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V。这款MOSFET采用了SJ_Multi-EPI技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON))和良好的电流处理能力。CEP12N5-VB适用于高电压电源开关、电力管理和其他要求高电压处理的电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、CEP12N5-VB详细参数说明

| 参数 | 规格 |
|-----------------|-------------------------|
| 封装类型 | TO220 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压(VDS) | 650V |
| 栅源电压(VGS) | ±30V |
| 阈值电压(Vth) | 3.5V |
| 导通电阻(RDS(ON)) | 500mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流(ID) | 9A |
| 技术 | SJ_Multi-EPI |

领域和模块应用:

三、应用领域和模块示例

1. **高压电源开关**:CEP12N5-VB非常适合用于高压电源开关应用。其650V的漏源电压和500mΩ的导通电阻使其能够在高电压环境下稳定开关电流,广泛应用于高电压电源模块和电源转换器中。

2. **电力管理系统**:在电力管理系统中,CEP12N5-VB可用作高压开关元件。其优异的电流处理能力(9A)和低导通电阻提供了高效的电力管理和调节,适用于各种高电压电力管理和调节模块。

3. **高压逆变器**:CEP12N5-VB适用于高压逆变器电路,特别是在需要处理高电压输出的应用场合。其高VDS和良好的开关性能使其能够有效地控制逆变器中的电流流动,确保高效运行。

4. **照明驱动器**:在高压照明驱动器中,CEP12N5-VB可作为主要的开关元件,特别是在需要处理高电压的照明系统中。其高电压处理能力和低导通电阻有助于提高照明系统的稳定性和效率。

5. **电机控制系统**:CEP12N5-VB也适用于高压电机控制系统。其高电压和电流处理能力使其能够有效地控制电机的驱动电流,特别是在高电压电机驱动和控制电路中应用。

CEP12N5-VB凭借其优良的电气性能和开关能力,为高电压和高电流应用提供了可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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