推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

CEM6426Z-VB 产品详细

产品简介:

CEM6426Z-VB MOSFET 产品简介

**产品名称**: CEM6426Z-VB
**封装形式**: SOP8
**配置**: 单N-Channel
**技术**: Trench(沟槽)

**主要特点**:
- 单N通道MOSFET配置,适合各种开关和放大应用
- 低导通电阻,有效减少功率损耗,提升能效
- 沟槽技术优化了性能和热管理
- 支持高达60V的漏极-源极电压,适用于中高电压应用
- 适合处理中等电流负载,具有可靠的工作性能

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 60V 1.7V 7.6A 25mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 60V 1.7V 7.6A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 60V 1.7V 7.6A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

| **参数** | **值** |
|------------------------|-----------------------------|
| **封装形式** | SOP8 |
| **配置** | 单N-Channel |
| **VDS(漏极-源极电压)** | 60V |
| **VGS(栅极-源极电压)** | ±20V |
| **Vth(阈值电压)** | 1.7V |
| **RDS(ON)(导通电阻)@ VGS=4.5V** | 35mΩ |
| **RDS(ON)(导通电阻)@ VGS=10V** | 25mΩ |
| **ID(连续漏极电流)** | 7.6A |
| **技术** | 沟槽技术 |

领域和模块应用:

应用领域示例

CEM6426Z-VB MOSFET因其优异的性能,适用于多种领域和模块:

1. **电源管理系统**: CEM6426Z-VB MOSFET能够在电源管理系统中高效地开关和调节电流,适合用于DC-DC转换器、稳压器和电源开关。其高漏极-源极电压支持使其适合用于高电压电源模块,如计算机电源、汽车电源和消费电子产品。

2. **电机驱动控制**: 在电机控制系统中,CEM6426Z-VB的中等电流处理能力和低导通电阻使其适合用于电机驱动电路。它能够稳定控制电动机和步进电机,广泛应用于自动化设备、电动工具和家用电器中。

3. **负载开关**: MOSFET的高电流处理能力和较低的RDS(ON)使其非常适合用于负载开关应用。CEM6426Z-VB能够高效地开关各种负载,适用于工业控制系统、家用电器和通信设备中的开关电路,确保系统的高效运作。

4. **LED驱动电路**: 由于其低导通电阻,CEM6426Z-VB也适合用于LED驱动电路。它可以提供稳定的驱动电流,确保LED的高亮度和长寿命,适用于智能照明系统和高亮度LED照明应用。

5. **电池管理**: CEM6426Z-VB MOSFET的高电压耐受能力和低导通电阻使其适用于电池管理系统。它能够有效地保护电池,防止过电流和短路情况,确保电池的安全性和长期稳定性。

总结来说,CEM6426Z-VB MOSFET是一款高性能的单N-Channel组件,适用于需要高电压处理和高效开关的电子应用。其沟槽技术和低导通电阻使其在多个领域中表现优异。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询