产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
7.6A |
|
|
25mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
7.6A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
7.6A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Single-N |
|
|
|
|
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|
|
详细参数说明
| **参数** | **值** |
|------------------------|-----------------------------|
| **封装形式** | SOP8 |
| **配置** | 单N-Channel |
| **VDS(漏极-源极电压)** | 60V |
| **VGS(栅极-源极电压)** | ±20V |
| **Vth(阈值电压)** | 1.7V |
| **RDS(ON)(导通电阻)@ VGS=4.5V** | 35mΩ |
| **RDS(ON)(导通电阻)@ VGS=10V** | 25mΩ |
| **ID(连续漏极电流)** | 7.6A |
| **技术** | 沟槽技术 |
领域和模块应用:
应用领域示例
CEM6426Z-VB MOSFET因其优异的性能,适用于多种领域和模块:
1. **电源管理系统**: CEM6426Z-VB MOSFET能够在电源管理系统中高效地开关和调节电流,适合用于DC-DC转换器、稳压器和电源开关。其高漏极-源极电压支持使其适合用于高电压电源模块,如计算机电源、汽车电源和消费电子产品。
2. **电机驱动控制**: 在电机控制系统中,CEM6426Z-VB的中等电流处理能力和低导通电阻使其适合用于电机驱动电路。它能够稳定控制电动机和步进电机,广泛应用于自动化设备、电动工具和家用电器中。
3. **负载开关**: MOSFET的高电流处理能力和较低的RDS(ON)使其非常适合用于负载开关应用。CEM6426Z-VB能够高效地开关各种负载,适用于工业控制系统、家用电器和通信设备中的开关电路,确保系统的高效运作。
4. **LED驱动电路**: 由于其低导通电阻,CEM6426Z-VB也适合用于LED驱动电路。它可以提供稳定的驱动电流,确保LED的高亮度和长寿命,适用于智能照明系统和高亮度LED照明应用。
5. **电池管理**: CEM6426Z-VB MOSFET的高电压耐受能力和低导通电阻使其适用于电池管理系统。它能够有效地保护电池,防止过电流和短路情况,确保电池的安全性和长期稳定性。
总结来说,CEM6426Z-VB MOSFET是一款高性能的单N-Channel组件,适用于需要高电压处理和高效开关的电子应用。其沟槽技术和低导通电阻使其在多个领域中表现优异。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性