产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
|
18/40mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
|
|
二、CEM4539-VB详细参数说明
| 参数 | 数值 | 说明 |
| --- | --- | --- |
| 封装 | SOP8 | 标准小外形封装,适用于紧凑设计 |
| 配置 | Dual-N+P-Channel | 双通道,包括一个N沟道和一个P沟道MOSFET |
| 漏源电压 (VDS) | ±30V | 最大漏源电压 |
| 栅源电压 (VGS) | 20(±V) | 最大栅源电压 |
| N沟道阈值电压 (Vth) | 1.6V | N沟道MOSFET的阈值电压 |
| P沟道阈值电压 (Vth) | -1.7V | P沟道MOSFET的阈值电压 |
| N沟道导通电阻 (RDS(ON)) | 24mΩ@VGS=4.5V,18mΩ@VGS=10V | 不同栅极电压下的导通电阻 |
| P沟道导通电阻 (RDS(ON)) | 50mΩ@VGS=4.5V,40mΩ@VGS=10V | 不同栅极电压下的导通电阻 |
| N沟道漏极电流 (ID) | ±8A | 最大连续漏极电流 |
| 技术 | Trench | 先进的沟槽技术,降低导通电阻和开关损耗 |
领域和模块应用:
三、CEM4539-VB的应用领域和模块
CEM4539-VB由于其双通道配置和优良的电气性能,适用于多种电源管理和开关控制应用。以下是一些典型的应用领域和模块:
1. **电源开关**
- **应用**:DC-DC转换器、AC-DC适配器、电源管理模块。
- **说明**:CEM4539-VB的N+P通道配置使其非常适合在电源开关中提供高效的电源转换和负载开关功能。低导通电阻和高电流承载能力提升了电源效率,减少了能量损耗。
2. **电机驱动**
- **应用**:电动玩具、电动工具、小型电机控制系统。
- **说明**:在电机驱动电路中,CEM4539-VB能够有效控制电机的开关操作,确保平稳运行。N+P通道MOSFET的配置使其在电机的正反转控制中表现出色。
3. **负载开关**
- **应用**:便携设备中的负载开关,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备。
- **说明**:CEM4539-VB的高效开关能力和低导通电阻在负载开关应用中能够有效提高设备的整体性能和电池寿命。其紧凑的SOP8封装适合空间受限的应用场合。
4. **保护电路**
- **应用**:过压保护、过流保护、过温保护电路。
- **说明**:在保护电路中,CEM4539-VB可以用作过压和过流保护开关。其双通道配置使其能够有效处理各种保护需求,确保电路组件的安全运行。
5. **开关电路**
- **应用**:开关模式电源、负载切换、信号切换。
- **说明**:CEM4539-VB的低导通电阻和高开关能力确保了开关电路的高效性和可靠性。其双通道设计为复杂的开关电路提供了灵活的配置选项,适用于多种应用场景。
CEM4539-VB以其双通道设计和优异的电气性能,为现代电子设备提供了高效、可靠的电源管理和开关控制解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性