产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-1.7V |
-5.8A |
|
|
33mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-1.7V |
-5.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-30V |
|
-1.7V |
-5.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Single-P |
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二、CEM4481-VB MOSFET详细参数说明
- **型号**: CEM4481-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单P沟道
- **最大漏源电压（VDS）**: -30V
- **最大栅源电压（VGS）**: ±20V
- **栅极阈值电压（Vth）**: -1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 56mΩ @ VGS = 4.5V
- 33mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: -5.8A
- **技术**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **热阻（结到环境）**: 62.5°C/W
- **漏源击穿电压（BVDSS）**: -30V
- **栅极漏极电荷（Qgd）**: 7nC
- **开关速度**: 快速开关
领域和模块应用：
三、CEM4481-VB MOSFET的应用领域和模块举例
1. **电源开关**: CEM4481-VB在电源开关应用中表现出色。其低导通电阻和高电流能力使其适合于开关电源、电池管理系统以及电源稳压器的高效开关操作。
2. **负载开关**: 由于其高电流处理能力，CEM4481-VB可以用作负载开关，控制电流流动，适合用于负载保护和电流调节应用，例如电池保护电路和功率开关模块。
3. **消费电子**: 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，CEM4481-VB可以应用于电池管理和充电控制系统，确保高效能和稳定的电源管理。
4. **汽车电子**: 在汽车电子系统中，CEM4481-VB可以用于车载电源管理模块、电池管理系统和电动汽车控制模块，提供稳定可靠的电源开关和负载控制解决方案。
5. **LED驱动**: CEM4481-VB的高效能和低导通电阻使其适合用于LED驱动电路，能够提供稳定的电流控制，确保LED灯具的高效运行和长寿命。
CEM4481-VB MOSFET凭借其优秀的电流处理能力和低导通电阻，在电源管理和负载开关应用中提供了可靠的性能，适用于多种高效能和高稳定性的电子系统。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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