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BUZ31L H-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**BUZ31L H-VB** 是一款高电压、单通道N沟道MOSFET,采用了先进的Trench技术,封装形式为TO220。这款MOSFET设计用于高电压和高功率的开关应用,适用于需要高耐压和大电流的场合。BUZ31L H-VB的最大漏源电压(VDS)为200V,最大栅源电压(VGS)为±20V。其栅极阈值电压(Vth)为3V。在栅源电压为10V时,导通电阻(RDS(ON))为110mΩ,能够承受的最大漏极电流(ID)为30A。这些特性使得BUZ31L H-VB非常适合用于高电压电源开关和功率管理系统中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A 110mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: BUZ31L H-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单通道N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 200V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 110mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

**BUZ31L H-VB** MOSFET在多个领域和模块中具有广泛的应用,具体如下:

1. **高电压电源管理**:
- 在高电压电源管理系统中,BUZ31L H-VB可以用作高电压开关,处理高达200V的漏源电压。
- 其低导通电阻和高电流能力使其适合用于电源开关和保护电路,提升电源系统的效率和稳定性。

2. **功率开关**:
- 在功率开关应用中,BUZ31L H-VB可用于电力电子设备的开关控制,如开关电源、逆变器等。
- 由于其高电压和高电流处理能力,该MOSFET能够有效控制大功率负载,确保系统稳定运行。

3. **工业电源**:
- 在工业电源模块中,BUZ31L H-VB适用于高电压电源的开关和控制,提供可靠的功率管理。
- 其高电压耐受能力和良好的导通性能使其在工业电源系统中表现优异,能够处理高功率负载。

4. **电机驱动**:
- 在电机驱动系统中,该MOSFET可以用于高电压电机控制,确保电机的高效运行。
- 适用于大功率电机控制,能够处理高电流负载并提供稳定的电流开关。

5. **能源转换设备**:
- 在能源转换设备如变换器和逆变器中,BUZ31L H-VB可用于高电压转换和功率开关,提供高效的能源转换。
- 其高电压耐受和高电流处理能力使其成为能源转换设备中关键的开关元件。

这些应用示例表明,BUZ31L H-VB MOSFET在高电压电源管理、功率开关、工业电源等领域中的重要性,能够满足高电压和高功率应用的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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