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BUK954R2-55B-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**BUK954R2-55B-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封装,设计用于高电流和低导通电阻的应用。它使用先进的 Trench 技术,具备高达 210A 的最大漏极电流和极低的导通电阻,使其成为功率密集型应用中的理想选择。这款 MOSFET 特别适合电源管理、电机驱动和功率调节等领域,提供了优异的开关性能和可靠性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 210A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单极性 N-Channel
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 210A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理**: BUK954R2-55B-VB 非常适合用于高效的电源管理应用,如 DC-DC 转换器和开关电源。其极低的 RDS(ON) 和高电流处理能力能够大幅提升电源转换效率,减少能量损耗。这使其在数据中心电源模块和高性能计算电源系统中表现出色。

2. **电机驱动**: 在电机驱动应用中,该 MOSFET 可以用作高功率电机的驱动开关。其高达 210A 的漏极电流和低导通电阻确保了在驱动大型电机时的高效和稳定运行,适用于电动汽车驱动系统和工业电机控制系统。

3. **功率调节器**: 在功率调节器中,BUK954R2-55B-VB 可用于高效的功率切换和调节。其优异的开关性能和低导通电阻使其适合用于高负载条件下的应用,如工业自动化设备和电力电子设备中的功率管理,提供稳定的功率输出和高可靠性。

4. **电源保护**: 该 MOSFET 也适用于电源保护电路,如过流保护和过压保护电路。其高电流处理能力和快速开关特性,使其能够在电源异常时提供可靠的保护功能,防止系统损坏,延长设备使用寿命。

综上所述,BUK954R2-55B-VB 以其卓越的性能和广泛的应用适应性,是各种高功率和高效率应用的理想选择,在电源管理、电机驱动和功率调节等领域表现尤为出色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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